[发明专利]一种LED芯片的制作方法

权利要求书

1.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括步骤：

将衬底表面清洁后沉积20-50nm缓冲层，在所述缓冲层上生长4-6μm的N型GaN层，接着在所述N型GaN层上生长200-300nm的多量子阱层，然后在所述多量子阱层上生长20-100nm的P型GaN层；

在所述P型GaN层上通过光刻制作芯片图形，用干法刻蚀设备ICP刻蚀出L型台阶，刻蚀深度1-2μm，切割道的宽度在10-30μm之间，该L型台阶的侧面从P型GaN层的侧面延伸至所述N型GaN层的侧面，所述L型台阶的水平方向的平面为N型GaN层所在的平面，所述L型台阶的侧面与水平面的夹角在120-150°之间；

在P型GaN层表面涂覆光刻胶厚度2-3μm，经过100-140℃软烤1-2min、经过光罩版曝光和显影的步骤露出需要制作电流阻挡层的区域，其他区域全部被保护；

利用ICP在P型GaN层表面进行干法刻蚀，刻蚀区域为所述露出需要制作电流阻挡层的区域，刻蚀所用气体为BCl₃与Cl₂，其中BCl₃占比20-80％，刻蚀速率刻蚀深度

在所述P型GaN层上利用电子束蒸发设备蒸镀透明导电层ITO，透明导电层厚度经过黄光室在ITO表层涂覆光刻胶、光罩曝光、显影后露出多余部分ITO，经过化学腐蚀后将露出部分ITO腐蚀掉，最后去掉光刻胶，露出电流扩展导电层；

在所述电流扩展导电层上涂覆光刻胶，通过光罩版曝光、显影步骤将需要开孔的部位的光刻胶去掉，然后用化学腐蚀溶液将露出部位进行腐蚀，露出圆形小孔，圆形小孔面积为金属焊盘面积的10-90％；

制作金属电极和钝化层，得到晶圆；

晶圆减薄、背镀、切割裂片和晶粒分选得到LED芯片。

2.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述电流扩展导电层的材料，进一步为：

在380-550nm可见光范围内的透光率在90％以上；

合金前方块电阻8-10Ω，合金后电阻20-40Ω。

3.根据权利要求2所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述电流扩展导电层的材料，进一步为ITO或ZnO导电材料。

4.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述在所述电流扩展导电层上涂覆光刻胶，通过光罩版曝光、显影步骤将需要开孔的部位的光刻胶去掉，然后用化学腐蚀溶液将露出部位进行腐蚀，露出圆形小孔，圆形小孔面积为金属焊盘面积的10％-90％，进一步的，

所述化学腐蚀溶液成分为FeCl₃和HCl的混合液。

5.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、碳化硅或硅。