[发明专利]一种钼铜电触头材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510555304.9 申请日: 2015-09-01
公开(公告)号: CN105132777A 公开(公告)日: 2015-12-09
发明(设计)人: 田保红;张毅;程新乐;刘勇;宋克兴;任凤章;贾淑果;李全安 申请(专利权)人: 河南科技大学
主分类号: C22C27/04 分类号: C22C27/04;C22C9/00;C22C32/00;C22C1/05;H01B1/02
代理公司: 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 代理人: 牛爱周
地址: 471003 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 钼铜电触头 材料 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于电子材料技术领域,具体涉及一种钼铜电触头材料及其制备方法。

背景技术

电触头是仪器仪表、电器开关中非常重要的接触元件。高压输变电向大容量超高压发展,低压配电系统与控制系统对自动化水平、灵敏程度要求的提高以及电子工业产品的更新换代,都对触头材料提出了新的要求。理想的电触头材料必须具备良好的物理性能、力学性能、电接触性能、化学性能和加工性能。

早期的触头材料多采用纯钨、纯钼、纯铜及贵金属银,这些材料的导电性、硬度及高温性能往往难以兼顾,不能全面满足航空、航天、微电子、电力、交通运输等领域的高速发展对触头材料的要求。钼铜复合材料在电触头方面的应用起源于20世纪80年代后期,国外首先将该材料使用于真空开关管及高压电器开关的接触材料,弥补了当时真空用钨铜材料的一些不足。钼铜复合材料综合了钼与铜的本征物理性能,具备良好的抗熔焊、耐烧蚀和高温强度、高导电导热等性能。与电触头常用元素钨相比,钼的电子逸出功较小、截流值较小,更利于提高材料的抗电弧烧蚀性,同时,钼的导电率较钨高、加工性较钨好,因而其有助于该领域材料性能的进一步提高。

钼铜复合材料的致密度是影响其热性能及强度的重要因素之一,由于W的密度为19.32g/cm3,钼的密度较小(10.22g/cm3),钼铜作为假合金,用常规粉末冶金工艺难以得到高钼含量高致密度的材料。减少材料内部孔隙数量、制备接近全致密(≥98%)的钼铜复合材料是研究人员努力的方向之一。

董应虎等(钼铜复合材料致密度的影响因素研究,材料热处理技术,2009年3月),通过粉末冶金液相烧结法制备了高致密钼铜复合材料,在无活化烧结过程因素存在条件下,Mo/30Cu复合材料的液相烧结温度宜在1350℃左右;添加微量元素Fe、Co、Ni或NH4Cl能改善钼铜之间的润湿性,实现活化烧结过程,从而提高烧结制品的致密度。该复合材料在较高温度下工作时,容易出现晶粒的再结晶和长大现象,从而出现较大的富铜区,在经受电弧烧蚀时,容易出现氧化、熔焊和桥接而发生破坏;同时,Mo-Cu两相由于既不互溶又不形成金属间化合物,导致Mo-Cu两相界面薄弱,粘附强度不高,导致钼铜电触头材料的导电率和硬度难以得到进一步的提高。

发明内容

本发明的目的是提供一种钼铜电触头材料,从而解决现有钼铜电触头材料中Mo-Cu两相界面薄弱,粘附强度不高的技术问题,赋予材料更高的导电率和硬度。

本发明的第二个目的是提供上述钼铜电触头材料的制备方法。

为了实现以上目的,本发明所采用的技术方案是:

一种钼铜电触头材料,由以下重量百分比的组分组成:钼(Mo)35.0~90.0%,碳化钨(WC)1.0~5.0%,镍(Ni)0.05~1.0%,氯化镧(LaCl3)0.05~1.0%,余量为铜。

本发明提供的钼铜电触头材料中,WC弥散均匀分布到Mo-Cu基体中,一方面,WC具有良好的高温稳定性,在高温条件下工作时,既不会分解,也不会与钼、铜发生化学反应;另一方面,WC作为弥散强化相可以钉扎在晶粒晶界处,从而抑制了材料再结晶和晶粒长大,保持晶粒的稳定性,从而有助于保持高温环境下材料的导电率和硬度;Ni作为润湿活化剂,可以提高Mo-Cu的润湿能力,LaCl3则在Ni的作用下,起到连接Mo-Cu两相的作用,从而增强Mo-Cu两相界面,提高Mo-Cu的粘附强度;通过Mo-Cu组成比例的改变,以及WC、Ni、LaCl3,三种组分的协同作用,可以依据不用的应用环境调整钼铜电触头材料的导电率和硬度,扩大材料的应用范围。

在要求较高硬度或较高导电率的场合,上述的钼铜电触头材料,作为优选方案,由以下重量百分比的组分组成:钨35.0~51.0%,碳化钨3.0~5.0%,镍0.75~1.0%,氯化镧0.75~1.0%,余量为铜。

上述的钼铜电触头材料的制备方法,包括以下步骤:

1)取配方量的钼粉,碳化钨粉,镍粉,氯化镧粉,铜粉,混合均匀,得到混合料;

2)将步骤1)所得混合料压制成型,得到毛坯;

3)将步骤2)所得毛坯在保护气氛下进行烧结,即得。

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