[发明专利]一种伪随机脉冲序列电刺激治疗仪及其工作方法

权利要求书

1.一种伪随机脉冲序列电刺激治疗仪，其特征在于，包括伪随机电压升压电路、治疗电极换向开关电路及单片计算机系统，所述单片计算机系统包括8位带PWM口的单片机，所述单片机的PWM口输出的伪随机调节的调宽脉冲经所述伪随机电压升压电路升压，将电池电压转变成随机变化电压，所述单片机的I/O1口、I/O2口分别输出脉冲调宽伪随机序列，控制所述治疗电极换向开关电路形成幅度、占空比和周期均随机变化的治疗脉冲，实现脉冲换向；

所述单片计算机系统还包括电容C2、电容C3、晶体CR、电阻R11、电阻R12、开关S2、开关S3，所述单片机的PWM口连接所述伪随机电压升压电路，所述单片机分别连接所述电容C2的一端、所述电容C3的一端，所述电容C2的一端与所述电容C3的一端之间连接所述晶体CR，所述电容C2的另一端、所述电容C3的另一端汇总后连接所述伪随机电压升压电路，所述单片机的I/O3口分别连接所述电阻R11的一端及所述开关S2，所述电阻R11的另一端连接所述伪随机电压升压电路，所述单片机的I/O4口分别连接所述电阻R12的一端及所述开关S3，所述电阻R12的另一端连接所述伪随机电压升压电路，所述单片机的I/O1口、I/O2口分别连接所述治疗电极换向开关电路；

所述伪随机电压升压电路包括电源B、开关S1、电阻R1、电阻R2、开关晶体管Q1、电感L、二极管D1、电容C1，所述单片机的PWM口连接所述电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端连接所述开关晶体管Q1的基极，所述电阻R1的一端分别连接所述电源B的一端及所述电容C1，所述电阻R1的另一端连接所述开关晶体管Q1的基极，所述开关晶体管Q1的发射极分别连接所述电源B的一端及所述电容C1，所述开关晶体管Q1的集电极分别连接所述电感L及所述二极管D1，所述电容C2的另一端、所述电容C3的另一端汇总后连接所述电源B的一端，所述电源B、所述开关S1、所述电感L、所述二极管D1、电容C1依次环形连接，所述电阻R11及所述电阻R12并联连接汇总后连接所述电感L。

2.根据权利要求1所述的一种伪随机脉冲序列电刺激治疗仪，其特征在于，所述治疗电极换向开关电路包括晶体管Q2、晶体管Q3、晶体管Q4、晶体管Q5、晶体管Q6、晶体管Q7、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10，所述单片机的I/O2分别连接所述电阻R3的一端及所述电阻R6的一端，电阻R3的另一端连接所述晶体管Q2的基极，所述晶体管Q2的发射极分别连接所述开关S2及所述晶体管Q4的发射极，所述晶体管Q2的集电极连接所述电阻R5的一端，所述电阻R6的另一端所述晶体管Q4的基极，所述晶体管Q4的发射极分别连接所述晶体管Q2的发射极及所述晶体管Q5的发射极，所述晶体管Q4的集电极连接电极B，所述单片机的I/O1分别连接所述电阻R9的一端及所述电阻R10的一端，所述电阻R9的另一端连接所述晶体管Q5的基极，所述晶体管Q5的发射极分别连接所述晶体管Q4的发射极及所述晶体管Q7的发射极，所述晶体管Q5的集电极连接所述电阻R8的一端，所述电阻R10的另一端连接所述晶体管Q7的基极，所述晶体管Q7的发射极接地，所述晶体管Q7的集电极连接电极A，所述电阻R5的另一端与所述电阻R4的一端均连接所述晶体管Q3的基极，所述晶体管Q3的发射极分别连接所述电阻R4的另一端及所述电阻R7的一端，所述晶体管Q3的集电极连接电极A，所述电阻R7的另一端与所述电阻R8的另一端均连接所述晶体管Q6的基极，所述晶体管Q6的发射极连接所述电阻R7的一端，所述晶体管Q6的集电极连接电极B；

电路工作时，电极A、电极B输出极性可变的脉冲幅度、脉冲宽度、脉冲周期、脉冲占空比都受伪随机编码调制、幅度可调的电刺激脉冲序列，最短的脉冲周期为333ms，脉冲宽度调制范围为5-20ms，脉冲幅度的调节度为70％。