[发明专利]半导体装置、固体摄像装置以及相机模块在审
| 申请号: | 201510553409.0 | 申请日: | 2015-09-02 |
| 公开(公告)号: | CN105609512A | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
| 发明(设计)人: | 井上广树;饭塚博 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 固体 摄像 以及 相机 模块 | ||
相关申请案
本申请案享有以日本专利申请案2014-221326号(申请日:2014年10月30日)为基 础申请案的优先权。本申请案以参照该基础申请案的方式而包含基础申请案的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种半导体装置、固体摄像装置以及相机模块。
背景技术
作为搭载在移动电话等电子设备上的小型相机模块的一例,已知CSCM(ChipScale CameraModule,晶圆级相机模块)型的相机模块(以下,称为CSCM)。CSCM是通过将 包含透镜等的透镜座固定在固体摄像装置上而构成。
应用于CSCM的固体摄像装置是通过将玻璃衬底利用粘接剂固定在正面设置着接 收光的受光部的薄型半导体衬底上而构成。玻璃衬底作为用以形成包含受光部的薄型半 导体衬底的支撑衬底而使用。
在应用于CSCM的固体摄像装置中,在受光部周边的半导体衬底的正面上,设置着 与受光部电连接的电极垫。在该电极垫正下方的半导体衬底上,设置着贯通孔。并且, 在从该贯通孔的侧面至半导体衬底的背面的区域上,以隔着绝缘膜与电极垫电连接的方 式形成着配线。而且,在半导体衬底的背面上的配线上,形成着作为外部电极的焊球。
在这种固体摄像装置中,将通过在受光部接收光而产生的电信号经由电极垫及配线 而传递至焊球,并且经由焊球输出至固体摄像装置的外部。
发明内容
本发明的实施方式提供一种能良率良好地制造的半导体装置、固体摄像装置以及相 机模块。
实施方式的固体摄像装置具有:半导体衬底,在其正面设置接收光的受光部,并且 在一部分中具有贯通孔;第1配线,设置在所述半导体衬底的正面侧;电极垫,设置在 包含所述贯通孔的正上方的所述半导体衬底的正面侧,并且与所述第1配线相接;狭缝, 设置在所述电极垫中的所述贯通孔的正上方的区域与所述第1配线之间;绝缘膜,设置 在所述贯通孔的侧面上;以及第2配线,以与所述电极垫相接的方式设置在该绝缘膜上。
实施方式的相机模块具有固体摄像装置、及内部包含透镜的透镜座。所述固体摄像 装置具备:半导体衬底,在其正面设置接收由所述透镜聚集的光的受光部,并且在一部 分中具有贯通孔;第1配线,设置在所述半导体衬底的正面侧;电极垫,设置在包含所 述贯通孔的正上方的所述半导体衬底的正面侧,并且与所述第1配线相接;狭缝,设置 在所述电极垫中的所述贯通孔的正上方的区域与所述第1配线之间;绝缘膜,设置在所 述贯通孔的侧面上;以及第2配线,以与所述电极垫相接的方式设置在该绝缘膜上。所 述透镜座设置在所述半导体衬底的正面上。
实施方式的半导体装置具有:第1配线,设置在具有贯通孔的半导体衬底的正面侧; 电极垫,设置在包含所述贯通孔的正上方的所述半导体衬底的正面侧,并且与所述第1 配线相接;狭缝,设置在所述电极垫中的所述贯通孔的正上方的区域与所述第1配线之 间;绝缘膜,设置在所述贯通孔的侧面上;以及第2配线,以与所述电极垫相接的方式 设置在所述绝缘膜上。
附图说明
图1A是示意性表示实施例的固体摄像装置的垂直剖视图。
图1B是示意性表示应用图1A所示的固体摄像装置的相机模块的垂直剖视图。
图2是表示图1A所示的固体摄像装置的由虚线X包围的主要部分的放大图。
图3是将第1配线图案的一部分及电极垫放大表示的俯视图。
图4~12是用以说明实施例的固体摄像装置的制造方法的图,并且是与图2对应的 主要部分放大图。
图13是表示第1比较例的电极垫的与图3对应的俯视图。
图14是表示第2比较例的电极垫的与图3对应的俯视图。
图15是用以说明模拟时的应力的测定位置的图。
图16是表示在形成着第1比较例及第2比较例的电极垫的情况下,施加至各测定 位置的正下方的半导体衬底上的应力的算出结果的曲线图。
图17是表示第1实施例的电极垫的与图3对应的俯视图。
图18是表示第2实施例的电极垫的与图3对应的俯视图。
图19是表示在形成着第1实施例、第2实施例、及第2比较例的电极垫的情况下, 施加至各测定位置的正下方的半导体衬底上的应力的算出结果的曲线图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





