[发明专利]一种在柔性衬底上印刷涂膜制备铜铟硒硫吸收层的方法

权利要求书

1.一种在柔性衬底上印刷涂膜制备铜铟硒硫吸收层的方法，其特征在于：该方法采用非真空纳米晶印刷涂膜制备铜铟硒硫吸收层，包括以下步骤：

一、柔性衬底上沉积背电极Mo；

二、以十八烯试剂作为反应介质采用溶液前驱体反应的加热合成方法，制备铜铟硫纳米晶，通过控制升温速率、加热温度等条件，调整并控制铜铟元素比例；

三、将制备的纳米晶材料干燥后溶解于有机试剂，形成纳米晶墨液，利用线棒印刷装置将纳米晶墨液印刷涂覆在带有Mo背电极的柔性衬底上，形成一层厚度均匀的纳米铜铟硫膜层；

四、将薄膜样品放置于真空干燥箱中进行低温退火热处理，经过热处理后的薄膜样品放置于硒化设备中进行硒化反应，铜铟硒硫吸收层制备完成。

2.按照权利要求1所述的在柔性衬底上印刷涂膜制备铜铟硒硫吸收层的方法，其特征在于：所述步骤一的柔性衬底采用金属箔或聚酰亚胺，采用直流磁控溅射在20～100μm厚度的柔性衬底上制备双层Mo薄膜，Mo层总厚度为0.7～1.0μm。

3.按照权利要求1所述的在柔性衬底上印刷涂膜制备铜铟硒硫吸收层的方法，其特征在于：所述步骤二中定量称取铜盐、铟盐和十二烷基硫醇，按照一定比例，以十八烯试剂作为反应介质采用溶液前驱体反应的加热合成方法，通过控制升温速率、加热温度等条件，调整并控制铜铟元素比例Cu/In:0.8~1.0制备铜铟硫纳米晶材料。

4.按照权利要求1所述的在柔性衬底上印刷涂膜制备铜铟硒硫吸收层的方法，其特征在于：所述步骤四、退火硒化处理；将薄膜样品放置于真空干燥箱中，抽真空至10^-2Pa，然后进行低温退火热处理，经过热处理后的薄膜样品放置于硒化设备中进行硒化反应，30分钟～1小时反应完成后，铜铟硒硫吸收层制备完成，之后可进行缓冲层CdS的沉积以及后续电池器件的制备。