[发明专利]磁传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种磁传感器的制造方法，其特征在于，其包括：

提供一个基底；

在施加外部磁场的情况下，在所述基底上沉积磁阻材料形成磁阻层；

在所述磁阻层上沉积导电材料形成所述导电层；

光刻所述导电层和所述磁阻层使得导电层和磁阻层形成第一预定义图形；

光刻已被光刻成第一预定义图形的导电层使得所述导电层形成第二预定义图形。

2.根据权利要求1所述的磁传感器的制造方法，其特征在于，

所述磁阻层的沉积厚度约为10-100nm，

所述导电层的沉积厚度约为200-500nm。

3.根据权利要求1所述的磁传感器的制造方法，其特征在于，所述磁性材料包括Ta和NiFe，所述导电材料包括Ti和Cu。

4.根据权利要求1所述的磁传感器的制造方法，其特征在于，

所述磁阻层的第一预定图形包括若干磁阻条，

所述导电层的第二预定图形包括形成于每个磁阻条上并与该每个磁阻条成预定角度的相互平行的若干个导电条。

5.根据权利要求4所述的磁传感器的制造方法，其特征在于，所述导电条的两端与对应的磁阻条的两侧边对齐，并且是在同一次光刻过程中形成的。

6.根据权利要求1所述的磁传感器的制造方法，其特征在于，所述光刻所述导电层和所述磁阻层使得导电层和磁阻层形成第一预定义图形包括：

在所述导电层上涂覆光刻胶形成第一光刻胶层；

经过第一预定义图形的掩膜版对第一光刻胶层进行曝光；

对曝光后的第一光刻胶层进行显影处理；

刻蚀所述导电层和所述磁阻层使得导电层和磁阻层形成第一预定义图形；

去除第一光刻胶层。

7.根据权利要求1所述的磁传感器的制造方法，其特征在于，所述光刻已被光刻成第一预定义图形的导电层使得所述导电层形成第二预定义图形包括：

在所述已被光刻成第一预定义图形的导电层上涂覆光刻胶形成第二光刻胶层；

经过第二预定义图形的掩膜版对第二光刻胶层进行曝光；

对曝光后的第二光刻胶层进行显影处理；

刻蚀所述已被光刻成第一预定义图形的导电层使得导电层形成第二预定义图形；和

去除第二光刻胶层。

8.根据权利要求1所述的制造方法得到的磁传感器，其特征在于，其包括：

基底；

形成于基底上的多个磁阻条；

形成于每个磁阻条上的并与该每个磁阻条成预定角度的相互平行的若干个导电条；

其中所述导电条的两端与对应的磁阻条的两侧边对齐，并且是在同一次光刻过程中形成的。