[发明专利]导热结构及散热装置有效

专利信息
申请号: 201510549129.2 申请日: 2015-08-31
公开(公告)号: CN105101755B 公开(公告)日: 2017-12-15
发明(设计)人: 蔡韋政;杨智偉;郑涛;毛鸥;张美杰 申请(专利权)人: 天奈(镇江)材料科技有限公司
主分类号: H05K7/20 分类号: H05K7/20
代理公司: 北京神州华茂知识产权有限公司11358 代理人: 汤楚莹
地址: 212000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 导热 结构 散热 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种导热结构及散热装置,特别涉及一种薄型化的导热结构及散热装置。

背景技术

随着科技的发展,针对电子装置的设计与研发,莫不以薄型化及高效能为优先考量。在要求高速运算的情况下,电子装置的电子元件不可避免地将产生较以往的电子元件更多的热量,但由于高温的作业环境不仅将影响电子元件的特性,过高的温度更可能造成电子元件永久性的损坏。因而,为配合电子装置的薄型化产品趋势,薄型化的散热装置已成为现行电子装置中不可或缺的重要配备之一。

已知的散热装置一般包括一散热器及一风扇,散热器安装在电子元件(例如CPU)上,且一般为铝制品或铜制品,并包括一底座与多个散热鳍片。当电子元件所产生之热能传导至散热器时,热能将经由底座传导至该些散热鳍片,更可藉由风扇的吹拂而将电子元件所产生之热能散逸。

然而,对于上述的散热装置而言,散热器存在着体积过大,无法满足现今薄型化电子产品所要求轻薄的需求。因此,如何提供一种导热结构及散热装置,具有较佳的导热效果以及薄型化的特点,以符合现今电子产品轻薄化的要求,已成为重要课题之一。

发明内容

有鉴于上述课题,本发明之目的为提供一种具有较佳的导热效果以及薄型化的特点,以符合现今电子产品轻薄化的要求的导热结构及散热装置。

为了实现上述发明目的,本发明采用的技术方案如下:

一种导热结构,包括第一导热层11和第二导热层12,所述第一导热层11 包含一石墨烯材料111和多个第一碳纳米管112,所述第一碳纳米管112分散于所述石墨烯材料111中;所述第二导热层12叠设于所述第一导热层11上,并包含一多孔材料121及多个第二碳纳米管122,所述第二碳纳米管122分散于所述多孔材料121中。

进一步地,所述导热结构的厚度介于10微米至300微米之间。

进一步地,所述导热粒子分散于所述第一导热层11和所述第二导热层12 中的至少一层中。

进一步地,所述导热结构还包括一功能层13,所述功能层13设置于第一导热层11远离第二导热层12的一表面上,或设置于该第一导热层11与该第二导热层12之间,或设置于该第二导热层12远离该第一导热层11的一表面上。

进一步地,所述功能层的材料为聚对苯二甲酸乙二酯、环氧树脂、酚树脂、双马来酰亚胺、耐龙衍 生物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯、乙烯类树脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、热塑性聚胺基甲酸酯、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸丁二酯或聚氯乙烯。

为了实现上述发明目的,本发明还公开了一种导热结构,其包括一导热层,所述导热层包含一多孔材料121及多个碳纳米管,所述碳纳米管分散于所述多孔材料121中。

进一步地,所述导热层还包括分散于该导热层中的多个导热粒子。

进一步地,所述导热层还包含一石墨烯材料111,所述石墨烯材料111混合于所述导热层中。

进一步地,所述导热结构的厚度介于10微米至300微米之间。

进一步地,所述导热结构还包含一功能层(13),其设置于该导热层的一表面上。

进一步地,所述功能层的材料为聚对苯二甲酸乙二酯、环氧树脂、酚树脂、双马来酰亚胺、耐龙衍 生物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯、乙烯类树脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、热塑性聚胺基甲酸酯、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸丁二酯或聚氯乙烯。

为了实现上述发明目的,本发明还公开了一种导热结构,一种散热装置,其与一热源配合,所述散热装置包括:前述任一项的导热结构,该导热结构与该热源接触;以及一散热结构(4),所述散热结构(4)与所述导热结构连接。

进一步地,所述散热结构包括一散热鳍片、一散热风扇(41)和一热管中的一种或几种。

承上所述,因本发明的导热结构及散热装置中,导热结构的第一导热层包含多个第一碳纳米管分散于石墨烯材料中,而第二导热层叠设于第一导热层上,并包含多个第二碳纳米管分散于多孔材料中。藉由第一导热层与第二导热层的结构,除了可将热源所产生的热能快速地导引并散逸,并使得导热结构及散热装置具有薄型化的特点而符合现今薄型化电子产品轻薄化的要求。

附图说明

图1A为本发明较佳实施例的导热结构的分解示意图。

图1B为本发明较佳实施例的导热结构的侧视示意图。

图1C为图1B的区域A的放大示意图。

图1D为图1B的区域B的放大示意图。

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