[发明专利]对称侧向双载子接面晶体管及特征化和保护晶体管的用途

说明书

本发明涉及对称侧向双载子接面晶体管及特征化和保护晶体管的用途，其提供一种对称侧向双载子接面晶体管(SLBJT)。该SLBJT包含p型半导体基板、n型井、位于该n型井中的SLBJT的射极、位于该n型井中且在该基极的一侧与该射极以一距离隔开的SLBJT的基极、位于该n型井中且在该基极的另一侧与该基极以该距离隔开的SLBJT集极，以及通到在该n型井外的该基板的电气连线。该SLBJT通过使该SLBJT电气耦合至该测试晶体管的栅极、施加电压至该栅极、以及特征化该测试晶体管在该施加电压下的一或数个态样，从而用来特征化电路中的晶体管。该SLBJT保护该栅极以免该栅极介电质受损。

技术领域

本发明大体涉及晶体管的特征化和保护。更特别的是，本发明涉及对称侧向双载子接面晶体管及其在特征化和保护晶体管中的用途。

背景技术

在制造有金属氧化物半导体场效晶体管的集成电路期间，一个常见的问题是由“天线效应”造成的栅极氧化物损坏，更正式来说，为习称等离子诱发的栅极氧化物损坏。此类损坏可能造成集成电路的良率及可靠性问题。目前，二极管用来在特征化晶体管期间保护该等晶体管。不过，二极管的使用受到限制，例如无法测量栅极诱发的漏极漏电流或栅极漏电流，以及在其他测试特性上的不准确。

因此，亟须改善晶体管的特征化和保护。

发明内容

在一态样中，通过提供一种特征化晶体管的方法，克服先前技术的缺点以及提供额外优点。该方法包括提供测试晶体管，该测试晶体管包含栅极与栅极介电材料。该方法进一步包括提供对称侧向双载子接面晶体管(SLBJT)，使该SLBJT电气耦合至该测试晶体管的该栅极，施加电压至该栅极，以及特征化该测试晶体管在该施加电压下的一或多个态样。该SLBJT保护该栅极以免该栅极介电材料受损。

根据另一态样，提供一种对称侧向双载子接面晶体管(SLBJT)。该SLBJT包含p型半导体基板、至少一个井(well)、以及属于第一类型且用于对称侧向双载子接面晶体管(SLBJT)的射极的第一植入区。该第一植入区位于该至少一个井的其中一者中，且该第一类型为n型与p型的其中一者。此外，该SLBJT包含属于与该第一类型相反的第二类型且用于该SLBJT的基极的第二植入区，该第二植入区位于该至少一个井中且在该基极的第一侧与该射极以一距离隔开。此外，该SLBJT包含属于该第一类型且用于该SLBJT的集极的第三植入区，该第三植入区位于该至少一个井中且在该基极与该第一侧相反的第二侧与该基极以该距离隔开。此外，该SLBJT包含用于电气耦合至该基板的p型植入区，该p型植入区位于该至少一个井外。

根据又一态样，提供一种电路。该电路包含含有栅极的测试晶体管，以及对称侧向双载子接面晶体管(SLBJT)。该SLBJT包含射极、基极及集极。该射极、该基极之间的距离与该基极、该集极之间的距离相同，该射极与该集极在该基极的两侧，而该射极电气耦合至该测试晶体管的该栅极。

由以下本发明各种态样结合附图的详细说明可明白以上及其他的本发明目标、特征及优点。

附图说明

图1是根据本发明的一或多个态样图示用于特征化测试晶体管的一或多个态样的电路实施例，该测试晶体管包含半导体基板、栅极、源极及漏极，该电路包含对称侧向双载子接面晶体管，在此称为SLBJT(在此实施例为NPN型)，其电气耦合及保护该测试晶体管以免高电压损坏测试晶体管中的栅极介电材料。

图2是根据本发明的一或多个态样，与图1类似，不同处在于图2使用PNP SLBJT的一实施例，而不是图1的NPN SLBJT。