[发明专利]一种薄膜图案化制备方法在审

专利信息
申请号: 201510547726.1 申请日: 2015-09-01
公开(公告)号: CN105161621A 公开(公告)日: 2015-12-16
发明(设计)人: 许伟;胡展豪;王坚;彭俊彪;曹镛 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L51/40 分类号: H01L51/40;H01L51/48;H01L51/56
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 何淑珍
地址: 510640 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 薄膜 图案 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜图案化制备方法,其特征在于,利用紫外光照或者氧气等离子表面处理工艺,改变衬底表面的亲疏水特性,通过提拉或者旋涂工艺实现有机半导体材料的薄膜图案化。

2.根据权利要求1所述薄膜图案化制备方法,其特征在于,具体步骤如下:

(1)取衬底,利用掩膜版掩膜作用,对疏水表面进行UV或者Plasma处理,经过UV或者Plasma处理的表面会变得亲水,从而在衬底表面形成了图案化的亲水区域,得到处理后的衬底;

(2)将需要图案化的有机半导体溶液旋涂、喷涂、刮涂或者提拉方式涂覆于处理后的衬底上,然后在20?80℃温度下烘干成膜,从而制备了图案化的有机半导体薄膜。

3.根据权利要求1所述薄膜图案化制备方法,其特征在于,所述衬底为玻璃、金属、石英或者有机物膜;所述有机物膜为聚酯薄膜(PET膜)、聚苯乙烯膜(PS膜)、聚乙烯膜(PE膜)或聚丙烯腈膜(PAN)。

4.根据权利要求1所述薄膜图案化制备方法,其特征在于,步骤(1)中,当所述衬底为亲水衬底时,在衬底表面进行疏水化处理,即旋涂一层疏水薄膜;当所述衬底为疏水衬底时,则不需要做其他处理。

5.根据权利要求1所述薄膜图案化制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述有机半导体溶液包括P-PPV溶液或PEDOT溶液。

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