[发明专利]一种薄膜图案化制备方法在审
申请号: | 201510547726.1 | 申请日: | 2015-09-01 |
公开(公告)号: | CN105161621A | 公开(公告)日: | 2015-12-16 |
发明(设计)人: | 许伟;胡展豪;王坚;彭俊彪;曹镛 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L51/40 | 分类号: | H01L51/40;H01L51/48;H01L51/56 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍 |
地址: | 510640 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 图案 制备 方法 | ||
1.一种薄膜图案化制备方法,其特征在于,利用紫外光照或者氧气等离子表面处理工艺,改变衬底表面的亲疏水特性,通过提拉或者旋涂工艺实现有机半导体材料的薄膜图案化。
2.根据权利要求1所述薄膜图案化制备方法,其特征在于,具体步骤如下:
(1)取衬底,利用掩膜版掩膜作用,对疏水表面进行UV或者Plasma处理,经过UV或者Plasma处理的表面会变得亲水,从而在衬底表面形成了图案化的亲水区域,得到处理后的衬底;
(2)将需要图案化的有机半导体溶液旋涂、喷涂、刮涂或者提拉方式涂覆于处理后的衬底上,然后在20?80℃温度下烘干成膜,从而制备了图案化的有机半导体薄膜。
3.根据权利要求1所述薄膜图案化制备方法,其特征在于,所述衬底为玻璃、金属、石英或者有机物膜;所述有机物膜为聚酯薄膜(PET膜)、聚苯乙烯膜(PS膜)、聚乙烯膜(PE膜)或聚丙烯腈膜(PAN)。
4.根据权利要求1所述薄膜图案化制备方法,其特征在于,步骤(1)中,当所述衬底为亲水衬底时,在衬底表面进行疏水化处理,即旋涂一层疏水薄膜;当所述衬底为疏水衬底时,则不需要做其他处理。
5.根据权利要求1所述薄膜图案化制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述有机半导体溶液包括P-PPV溶液或PEDOT溶液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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