[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

一基板；

一N型半导体层与一P型半导体层，其中该N型半导体层位于该基板与该P型半导体层之间；

一有源层，位于该N型半导体层以及该P型半导体层之间，该有源层发出的光波长λ满足222nm≤λ≤405nm，该有源层包括i层的量子磊层以及(i-1)层量子阱层，各量子阱层位于任意两层量子磊层之间，且i为大于等于2的自然数，该i层中各量子磊层的厚度自该P型半导体层侧起算依序为T₁、T₂、T₃…T_i，其中T₁大于T₂与T₃；以及

一第一电极以及一第二电极，其中该第一电极位于该N型半导体层的部分区域上，且该第二电极位于该P型半导体层的部分区域上。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其中T₂≥T₃。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其中在该i层量子磊层中，最靠近该N型半导体层的厚度T_i为最薄。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其中掺杂N型杂质于所述量子磊层中的至少k层，k为大于等于1的自然数，当i为偶数时，k≥i/2，当i为奇数时，k≥(i-1)/2。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述量子磊层的材料包括Al_xIn_yGa_1-x-yN，其中0≤x≤1，0≤y≤0.3，且x+y≤1。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述量子阱层的材料包括Al_mIn_nGa_1-m-nN，其中0≤m<1，0≤n≤0.5，m+n≤1，且x>m，n≥y。

7.一种发光二极管，包括：

一基板；

一N型半导体层与一P型半导体层，其中该N型半导体层位于该基板与该P型半导体层之间；

一有源层，位于该N型半导体层以及该P型半导体层之间，该有源层发出的光波长λ满足222nm≤λ≤405nm，该有源层包括i层的量子磊层以及(i-1)层量子阱层，各量子阱层位于任意两层量子磊层之间，且i为大于等于2的自然数，该i层中各量子磊层的厚度自该P型半导体层侧起算依序为T₁、T₂、T₃…T_i，其中该i层量子磊层中厚度满足：T₁＝T₂＞T₃；以及

一第一电极以及一第二电极，其中该第一电极与该第二电极分别位于该N型半导体层的部分区域上与该P型半导体层的部分区域上。

8.如权利要求7所述的发光二极管，其中在该i层量子磊层中，最靠近该N型半导体层的厚度T_i为最薄。

9.如权利要求7所述的发光二极管，其中掺杂N型杂质于所述量子磊层中的至少k层，k为大于等于1的自然数，当i为偶数时，k≥i/2，当i为奇数时，k≥(i-1)/2。

10.如权利要求7所述的发光二极管，其中所述量子磊层的材料包括Al_xIn_yGa_1-x-yN，其中0≤x≤1，0≤y≤0.3，且x+y≤1。

11.如权利要求7所述的发光二极管，其中所述量子阱层的材料包括Al_mIn_nGa_1-m-nN，其中0≤m<1，0≤n≤0.5，m+n≤1，且x>m，n≥y。

12.一种发光二极管，包括：

一基板；

一N型半导体层与一P型半导体层，其中该N型半导体层位于该基板与该P型半导体层之间；

一有源层，位于该N型半导体层以及该P型半导体层之间，该有源层发出的光波长λ满足222nm≤λ≤405nm，该有源层包括i层的量子磊层以及(i-1)层量子阱层，各量子阱层位于任意两层量子磊层之间，且i为大于等于2的自然数，该i层中各量子磊层的厚度自该P型半导体层侧起算依序为T₁、T₂、T₃…T_i，在该些量子磊层中，最靠近该P型半导体层侧的厚度T₁最大，而最靠近该N型半导体层侧的厚度T_i最小；以及

一第一电极以及一第二电极，其中该第一电极与该第二电极分别位于该N型半导体层的部分区域上与该P型半导体层的部分区域上。