[发明专利]肖特基二极管工艺方法

权利要求书

1.一种肖特基二极管工艺方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：

第1步，硅衬底上使用硬掩膜进行沟槽刻蚀；

第2步，对硬掩膜进行回刻，回刻具有一横向刻蚀量，硅衬底表面保留一部分硬掩膜；

第3步，沟槽侧壁氧化层淀积；

第4步，氧化层回刻，沟槽底部注入形成P阱并退火；

第5步，沟槽内Ti/TiN淀积、钨淀积，以及回刻，沟槽内钨回刻后沟槽顶部金属宽度大于沟槽宽度；

第6步，层间介质淀积；

第7步，接触金属的淀积、光刻及回刻；

第8步，Ti/TiN溅射、铝/铜溅射，再进行光刻及刻蚀。

2.如权利要求1所述的肖特基二极管工艺方法，其特征在于：所述第2步中，对硬掩膜进行湿法回刻，横向刻蚀量为1000～2000Å。

3.如权利要求1所述的肖特基二极管工艺方法，其特征在于：所述第3步中，对氧化层进行干法回刻。

4.如权利要求1所述的肖特基二极管工艺方法，其特征在于：所述第5步中，钨回刻至硅衬底表面上的钨保留2000～4000Å。