[发明专利]稀土永磁材料的制造方法

权利要求书

1.稀土永磁材料的制造方法，其特征在于，包括如下工序：

S2)雾化喷敷工序：将含元素R2的溶液雾化后对烧结稀土磁体进行喷敷，并对喷敷后的烧结稀土磁体进行烘烤；和

S3)渗透工序：对由雾化喷敷工序S2)得到的烧结稀土磁体进行热处理；

其中，所述烧结稀土磁体为R1-Fe(Co)-B-A-X-M系稀土磁体，

其中，R1是选自Nd、Pr、La、Ce、Tb、Dy、Ho、Er、Eu、Sm、Gd、Pm、Tm、Yb、Lu、Y和Sc中的一种或多种元素；

B表示硼元素；

A是选自H、Li、Na、K、Be、Sr、Ba、Ag、Zn、N、F、Se、Te、Pb和Ga中的一种或多种元素；

X是选自S、C、P和Cu中的一种或多种元素；

M是选自Ti、Ni、Bi、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Al、Sb、Ge、Sn、Zr、Hf和Si中的一种或多种元素；

R2是选自Tb、Dy、Ho和Gd中的一种或多种元素；

其中，在进行渗透工序S3)之前，先将由雾化喷敷工序S2)得到的烧结稀土磁体置于密闭容器中；然后将该密闭容器置于真空渗透炉中进行渗透工序S3)；

在雾化喷敷工序S2)中，所述含元素R2的物质的平均粒度小于3μm；

在渗透工序S3)中，绝对真空度小于等于0.01Pa；先在700～850℃的温度下保温0.5～5小时，再在900～950℃的温度下保温1～8小时。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在雾化喷敷工序S2)中，所述含元素R2的溶液由含元素R2的物质分散于有机溶剂而形成，每毫升有机溶剂中含有0.3～0.8克的含元素R2的物质。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在雾化喷敷工序S2)中，所述含元素R2的物质选自元素R2的氟化物、氧化物和氟氧化物中的至少一种。

4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在雾化喷敷工序S2)中，所述含元素R2的物质的平均粒度小于1μm。

5.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在雾化喷敷工序S2)中，所述有机溶剂选自脂肪烃、脂环烃、醇和酮中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在雾化喷敷工序S2)中，烘烤温度为50～200℃，烘烤时间为0.5～5小时。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在渗透工序S3)中，绝对真空度小于等于0.001Pa。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括如下工序：

S1)磁体制造工序：制造雾化喷敷工序S2)中所述的烧结稀土磁体；和

S4)时效处理工序：对由渗透工序S3)得到的烧结稀土磁体进行时效处理。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述磁体制造工序S1)包括如下工序：

S1-1)熔炼工序：对稀土磁体原料进行熔炼，使熔炼后的稀土磁体原料形成母合金；

S1-2)制粉工序：将由熔炼工序S1-1)得到的母合金破碎成磁粉；

S1-3)成型工序：在取向磁场的作用下，将由制粉工序S1-2)得到的磁粉压制成烧结坯体；和

S1-4)烧结工序：将由成型工序S1-3)得到的烧结坯体烧结定型，形成烧结稀土磁体。

10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，在时效处理工序S4)中，时效处理温度为300～900℃，时效处理时间为0.5～10小时。