[发明专利]钢化陶瓷玻璃封装

说明书

技术领域

本发明涉及一种钢化陶瓷玻璃封装通过加热和施压铸造形成，钢化陶瓷玻璃材料具有较好的电性特性、较高的热导率、较低的热膨胀系数以及较高的抗形变机械强度。

背景技术

由于半导体技术的发展方向是不断地提高安全性和可靠性及寿命，现有树脂聚合物封装技术的元件与树脂聚合物长期在高温接触而导致树脂聚合物局部碳化的封装内部漏电或短路，且树脂聚合物易被溶解，影响集成电路或半导体产品的安全性和可靠性及寿命，所以高性能的陶瓷封装件就成为集成电路设计中的必不可少的要素，再经高温或低温共同烧结而成的陶瓷承载介质具有较好的电性特性、耐高温以及抗变形特点，由于传统的陶瓷封装外壳的使用高温共烧陶瓷材料在1400℃一1600℃的温度下烧结制作，整体制作时间长达20一24小时，低温共烧陶瓷材枓在850℃一870℃的温度下烧结制作, 整体制作时间长达6—8小时，生产成本一直居高不下，制造费用昂贵，制作的技术要求高，产量受到技术、设备各方面的限制，生产效率和产品成品率降低，远远不能满足于日益增长的市场需求，由此可见，上述现有的用于封装电子元件的共烧陶瓷封装结构及其共烧陶瓷材料在结构与使用上，显然为了解决上述存在的问题，谋求寻找一种更为简单易行的设计和价格较低的封装外壳补充和代替现有陶瓷封装产品很有必要，本发明的目的在于，克服现有的用于封装电子元件的封装结构及其材料存在的缺陷，而提供一种新型的用于封装电子元件的封装结构及其材料缺陷，所要解决的技术问题是使其钢化陶瓷玻璃材料通过加热和施压铸造形成，钢化陶瓷玻璃材料具有较好的电性特性、较高的热导率、较低的热膨胀系数以及较高的抗形变机械强度。

发明内容

综上所述，本发明是有关于一种用了封装电子元件的钢化陶瓷玻璃封装结构及其钢化陶瓷玻璃材料具有较好的电性特性、较高的热导率、较低的热膨胀系数以及较高的抗形变机械强度，钢化陶瓷玻璃封装结构包括：陶瓷基座、陶瓷覆盖及外部连接端子结构，其中钢化陶瓷玻璃封装借此将陶瓷基座和陶瓷覆盖通过陶瓷釉的聚合物或高温玻化剂在高频的局部高温下快速键合在一起，本发明可利用钢化陶瓷玻璃封装在技术上有显著的进步，并具有明显的积极效果，域为一新颖、进步、实用的新设计。

其解决方案是：一种用于内部安装至少一元件的钢化陶瓷玻璃封装，包括：通过陶瓷基座、陶瓷覆盖及外部连接端子结构，安装在陶瓷基座结构上以保持具有容纳至少一元件的内部空腔气密的陶瓷覆盖，钢化玻璃陶瓷封装结构形成外部连接端子，所述端子用于与外部进行信号交换，以及形成与内部空腔中的至少一元件相连接的内部连接锥体端子，其特征在于陶瓷基座厚度一基面延伸至少两个对应锚固至少一元件的堤部以及在至少两个对应的堤部之间延伸至少一阵列锥体图形的锥体端子与至少一元件的厚度一基面所对应的端子连接，及厚度一基面的侧面边缘水平均匀设置有至少两个外部连接端子与至少一阵列锥体图形的锥体端子连接，所述端子连接设置具有相互电性导通，陶瓷覆盖设置了容纳陶瓷基座的凹部，凹部内底基面延伸至少一阵列锥体图形的锥体所对应至少一元件的厚度一基面的背面与陶瓷基座厚度一基面所延伸的至少一阵列锥体图形的锥体端子对应，所述的陶瓷基座厚度一基面所延伸的至少一阵列锥体图形的锥体通过漏印或真空溅射方式将合金料附着在锥体表面形成端子，所述的陶瓷基座和陶瓷覆盖之间在粘结温度下将其键合在一起。

本技术方案进一步所述的堤部就是在陶瓷基座厚度一基面延伸出凸台，该凸台有∟形和/或[形和/或╦形和/或╬形, 至少一对应的堤部可将至少一元件精确锚固，使至少一元件不能上下、前后、左右移动，避免工作中产生噪音。

本技术方案进一步所述的锥体端子均匀分布在陶瓷基座的堤部之间内和陶瓷覆盖凹部内底基面上形成阵列锥体图形的锥体对应，陶瓷基座上的锥体端子通过漏印或真空溅射方式将合金料附着在锥体表面形成锥体端子，所述锥体端子合金料附着延伸到外部连接端子，所述端子之间连接设置具有相互电性导通。

本技术方案进一步所述的键合是在陶瓷基座和陶瓷覆盖对接处使用陶瓷釉的聚合物或高温玻化剂在高频的局部高温下键合在一起。

以上所述的钢化陶瓷玻璃封装，在公知材料造成衬底上形成。

上述说明以是本发明技术方案及其产品新颖创新设计应用热力学和铸造工艺原理设计的概述，其成本低、结构简单紧凑、装配方便，具有较大的推广应用价值，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的內容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明：

图1为本发明实施例剖视图。