[发明专利]一种低介电常数基板的制备方法

权利要求书

1.一种低介电常数基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将质量浓度为45%的硅溶胶、纳米空心氧化铝与十二烷基硫酸钠、十二醇、油酸混合；70℃搅拌15分钟后超声分散2小时；然后加入过硫酸钠，搅拌20分钟；再滴加甲基丙烯酸甲酯，80℃搅拌2小时；干燥后获得填料；

（2）混合邻甲酚醛环氧树脂与氰酸酯树脂单体，90℃搅拌15分钟后加入月桂酸聚氧乙烯醚，继续搅拌10分钟；然后加入N-羟甲基丙烯酰胺，于100℃搅拌15分钟；得到树脂预聚物；

（3）依次将苯并咪唑、填料加入树脂预聚物中，于120℃搅拌2小时；然后加入酚氧树脂继续搅拌2小时；然后加入聚醚酰亚胺；然后于150℃搅拌2小时；得到复合体系；

（4）将复合体系置入150℃预热的模具中，热压即得到低介电常数基板。

2.根据权利要求1所述低介电常数基板的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述硅溶胶、纳米空心氧化铝、十二烷基硫酸钠、十二醇、油酸、过硫酸钠、甲基丙烯酸甲酯的质量比为1∶0.4∶0.1∶0.05∶0.3∶0.01∶0.4；所述填料的平均粒径为130nm。

3.根据权利要求1所述低介电常数基板的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，邻甲酚醛环氧树脂、氰酸酯树脂单体、月桂酸聚氧乙烯醚、N-羟甲基丙烯酰胺的质量比为1∶1.4～1.6∶0.05～0.08∶0.14～0.18。

4.根据权利要求1所述低介电常数基板的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，苯并咪唑、填料、树脂预聚物、酚氧树脂、聚醚酰亚胺的质量比为0.06∶0.22～0.25∶1∶0.15∶0.1～0.12。

5.根据权利要求1所述低介电常数基板的制备方法，其特征在于，步骤（4）中，热压工艺为：1MPa/150℃/0.5小时+1.5MPa/170℃/2小时+5MPa/200℃/2小时+5MPa/220℃/2小时。

6.根据权利要求1所述低介电常数基板的制备方法，其特征在于，所述酚氧树脂的分子量为0.8～1.2万；所述聚醚酰亚胺树脂的分子量为1.1～1.5万。

7.根据权利要求1～6所述任意一种低介电常数基板的制备方法制备的低介电常数基板。