[发明专利]一种薄片状C/C‑SiC‑MoSi2陶瓷基复合材料的制备方法

权利要求书

1.一种薄片状C/C-SiC-MoSi₂陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将碳化硅粉体、二硅化钼粉体分别分散于异丙醇中得混合物A、混合物B，混合物A中碳化硅粉体浓度为15～25g/L，混合物B中二硅化钼浓度为30～45g/L；将混合物A、混合物B分别搅拌均匀，得到悬浮液A、悬浮液B；

2)向悬浮液A、悬浮液B中分别加入碘单质得混合物A₁、混合物B₁，混合物A₁、混合物B₁中碘单质的浓度均为5.0～6.0g/L，将混合物A₁、混合物B₁加热下搅拌均匀，得悬浮液A₂、悬浮液B₂；

3)将碳纤维立体织物切割成圆片；

4)将圆片置于葡萄糖水溶液中在180～220℃下进行均相水热处理6～8h，在碳纤维上沉积碳层，得到C/C试样；

5)将C/C试样夹放于水热釜中，该水热釜以石墨电极为阳极，夹放C/C试样的导电基体为阴极并且阴阳两极与恒流电源相应两极连接，将悬浮液A₂、悬浮液B₂倒入反应釜内衬中，然后在80～120℃下进行水热电泳沉积为30～50min，水热电泳沉积电压为100～200V，水热电泳电弧放电结束后自然冷却到室温，然后干燥；

6)将干燥后的试样放入葡萄糖水溶液中进行在180～220℃下进行均相水热处理6～8h，得到复合材料，重复均相水热处理直至复合材料的密度达到1.3～1.5g/cm³，然后干燥；

7)将步骤6)干燥的试样，在1400～1600℃下热处理1～3h，得到薄片状C/C-SiC-MoSi₂陶瓷基复合材料。

2.根据权利要求1所述的一种薄片状C/C-SiC-MoSi₂陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中搅拌前进行超声震荡30～60min；搅拌的时间为2～4h。

3.根据权利要求1所述的一种薄片状C/C-SiC-MoSi₂陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，所述碳化硅粉体的平均粒径控制在0.5～1μm。

4.根据权利要求1所述的一种薄片状C/C-SiC-MoSi₂陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，所述二硅化钼粉体的平均粒径控制在1～3μm。

5.根据权利要求1所述的一种薄片状C/C-SiC-MoSi₂陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，所述加热的温度为80℃。

6.根据权利要求1所述的一种薄片状C/C-SiC-MoSi₂陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，所述碳纤维立体织物的密度为0.2～0.4g/cm³。

7.根据权利要求1所述的一种薄片状C/C-SiC-MoSi₂陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，所述圆片的直径为2～6cm，厚度为0.5～3cm。

8.根据权利要求1所述的一种薄片状C/C-SiC-MoSi₂陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，所述反应釜的填充比控制在60％～70％。

9.根据权利要求1所述的一种薄片状C/C-SiC-MoSi₂陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，所述步骤4)和步骤6)中葡萄糖水溶液浓度为0.7～1mol/L。

10.根据权利要求1所述的一种薄片状C/C-SiC-MoSi₂陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，所述步骤5)和步骤6)中干燥是在电热鼓风干燥箱中进行的，并且干燥的温度为60～80℃。