[发明专利]一种纳米石墨片导电薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510539634.9 申请日: 2015-08-28
公开(公告)号: CN105175985B 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 吴海华;郭辉;熊盼;吴朝;王从军 申请(专利权)人: 三峡大学;华中科技大学
主分类号: C08L61/06 分类号: C08L61/06;C08L63/00;C08L75/04;C08K3/04;B29D7/01
代理公司: 宜昌市三峡专利事务所42103 代理人: 蒋悦
地址: 443002*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 石墨 导电 薄膜 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种纳米石墨片导电薄膜,其特征在于,该导电薄膜包括以纳米石墨片及成膜物质,其中,纳米石墨片为导电填料,成膜物质为基体膜材;所述的成膜物质为酚醛树脂、环氧树脂和聚氨酯树脂中的一种,所述的纳米石墨片厚度为1-20 nm,高度为0.05-100 um,宽度为0.01-5 um,相邻纳米片间距为0.01-5 um,其制备方法包括以下步骤:

(1)将纳米石墨片置于无水乙醇中,经超声分散及反复洗涤后于60℃烘箱内烘干24小时,然后取出密封保存待用;

(2)按所需制备导电薄膜的大小,准备合适尺寸的耐高温分离膜,并用将耐高温分离膜胶带固定于流延成型装置的基带上;

(3)将成膜物质、稀释剂和助剂按照一定的比例混合,在100-200 r/min搅拌速度下,将混合浆料搅拌50-120min以保证其充分混合,然后将混合浆料转移至真空搅拌罐中,并添加除泡剂,在搅拌速度为150-250 r/min时继续搅拌30-90 min,同时辅以真空除气,此时,真空搅拌罐内的真空度控制为-0.5~-2 KPa,最终得到混合基体膜材浆料;

(4)利用得到的混合基体膜材浆料,装入流延成型装置的料斗中,采用流延成型的方法,在准备的耐高温分离膜上按照所设计的导电薄膜形状制成厚度为0.2mm的基体膜材薄膜;

(5)将基体膜材薄膜连同耐高温分离膜一起置于烘箱内,在60-90℃温度条件下,加热干燥5-20 min,以调整基体膜材薄膜的固化程度,取出待用;

(6)将基体膜材薄膜连同耐高温分离膜一起转移、固定于微喷射成型的实验台上,采用微粉喷射打印成形的方法在喷射压力0.4-1MPa,送粉量0.0001-0.005 kg/s,喷射距离10-30mm,所要求达到的最低速度为300m/s的条件下,对所产生的高压、高速气流进行精确控制,最终纳米石墨片颗粒在高压气流的作用下将纳米石墨片加速,达到其临界速度,同时,通过对打印喷头X/Y方向运动的精确控制,实现纳米石墨片在基体膜材上按照所需的形状精确分散、嵌入到基体膜材中,形成一层致密的导电薄膜;

(7)将基体膜材薄膜连同耐高温分离膜一起取出,在60-90℃温度条件下,加热固化30-60 min;

(8)去除固定胶带、并将导电薄膜从耐高温分离膜上剥离,得到纳米石墨片导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的纳米石墨片导电薄膜,其特征在于,所述的稀释剂为丙酮、无水乙醇的一种;所述的助剂有偶联剂、消泡剂、流平剂;其中,偶联剂为γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷(KH560),消泡剂为有机硅氧烷,流平剂为聚醚硅氧烷共聚物。

3.根据权利要求2所述的纳米石墨片导电薄膜,其特征在于,按质量分数计,成膜物质20-40份、流平剂1.5-3.0份、偶联剂0.6-3.2份、稀释剂40-60份、消泡剂0.5-1.5份。

4.根据权利要求2所述的纳米石墨片导电薄膜,其特征在于,按质量分数计,成膜物质34份、流平剂3.0份、偶联剂2.0份、稀释剂60份、消泡剂1.0份。

5.根据权利要求2所述的纳米石墨片导电薄膜,其特征在于,按质量分数计,成膜物质33份、流平剂3.0份、偶联剂3.0份、稀释剂60份、消泡剂1.0份。

6.根据权利要求2所述的纳米石墨片导电薄膜,其特征在于,按质量分数计,成膜物质35份、流平剂2.0份、偶联剂3.0份、稀释剂59份、消泡剂1.0份。

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