[发明专利]一种磁控溅射制备锂电池电极材料FeSe2薄膜的方法

权利要求书

1.一种磁控溅射制备锂电池电极材料FeSe₂薄膜的方法，包括以下步骤:

a、溅射准备：选取硅基片作为磁控溅射的衬底，选取纯度为99.99％的FeSe靶材作为磁控溅射的溅射靶材，清洗硅基片；然后分别将清洗好的硅基片和FeSe靶材安装于磁控溅射室内的相应位置，并调整FeSe靶材到硅基片的距离为5-7cm；

b、溅射沉积：将真空室抽真空至气压小于2×10^-4Pa，再通入氩气作为工作气体，调节溅射气压、溅射功率、衬底温度，经过一定时间的溅射在硅基片上沉积薄膜；

c、后退火处理：将b步所得的沉积薄膜的硅基片和粒径为1mm-1.5mm的硒粒球一起封入气压小于1×10^-2Pa的真空石英管中，然后将石英管置于管式炉中，在氩气保护气氛下进行后退火处理，即得FeSe₂薄膜；

其中，后退火处理的具体操作是：以2℃/min的升温速度升至500℃，保温6-7h，然后炉冷。

2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射制备锂电池电极材料FeSe₂薄膜的方法，其特征在于：所述步骤a中清洗硅基片的具体操作是：将硅基片依次在丙酮、乙醇、去离子水中进行10-20min的超声清洗，然后用热氮气干燥。

3.根据权利要求1所述的一种磁控溅射制备锂电池电极材料FeSe₂薄膜的方法，其特征在于：所述步骤b中作为磁控溅射工作气体的氩气纯度为99.995％。

4.根据权利要求1所述的一种磁控溅射制备锂电池电极材料FeSe₂薄膜的方法，其特征在于：所述步骤b中在硅基片上沉积薄膜的溅射沉积条件为：溅射气压为0.45-0.55Pa，衬底温度为500-600℃，溅射功率为60-80W、溅射时间为0.5-1.0h。

5.根据权利要求1所述的一种磁控溅射制备锂电池电极材料FeSe₂薄膜的方法，其特征在于：所述步骤c中与沉积薄膜的硅基片一起封入真空石英管的硒粒球数量为1粒。