[发明专利]Cu2MoS4二维晶体的用途及其构成的饱和吸收体器件

权利要求书

1.一种Cu2MoS4二维晶体的用途，其特征是：所述Cu2MoS4二维晶体用于制备饱和吸收体的用途。

2.一种基于Cu2MoS4二维晶体的饱和吸收体器件，其特征是：包括封装在透明容器内作为饱和吸收体的二维晶体和承载该饱和吸收体的基体，所述作为饱和吸收体的二维晶体是Cu2MoS4二维层状晶体。

3.根据权利要求2所述的一种基于Cu2MoS4二维晶体的饱和吸收体器件，其特征是：所述的基体为有机溶剂或有机聚合物。

4.根据权利要求3所述的一种基于Cu2MoS4二维晶体的饱和吸收体器件，其特征是：所述的有机聚合物为聚乙烯醇或聚甲基丙烯酸甲酯。

5.根据权利要求3所述的一种基于Cu2MoS4二维晶体的饱和吸收体器件，其特征是：所述的有机溶剂为氯仿，氯仿内含0.3-1％乙醇作为稳定剂。

6.权利要求2所述的一种基于Cu2MoS4二维晶体的饱和吸收体器件，其特征是：所述饱和吸收体器件应用于脉冲激光器领域。