[发明专利]晶片封装体有效

专利信息
申请号: 201510535128.2 申请日: 2011-05-11
公开(公告)号: CN105244330B 公开(公告)日: 2019-01-22
发明(设计)人: 林超彦;林义航 申请(专利权)人: 精材科技股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/525;H01L29/06;H01L21/56;H01L21/683
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 中国台湾桃园市中*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 晶片 封装
【说明书】:

发明提供一种晶片封装体,该晶片封装体包括:一半导体基底,具有一上表面及一下表面;一凹口,邻近于半导体基底的一侧壁,其中凹口沿着自半导体基底的上表面朝下表面的一方向而形成;元件区或感测区,位于半导体基底的上表面;一导电垫,位于半导体基底的上表面;以及一导电层,电性连接导电垫,且沿着半导体基底的侧壁延伸至凹口。本发明可大幅缩减晶片封装制程所需的图案化制程,且可显著缩减制程时间与成本。

本申请是申请日为2011年5月11日、申请号为201110122210.4、发明名称为“晶片封装体及其形成方法”的申请的分案申请。

技术领域

本发明有关于晶片封装体及其形成方法,且特别有关于感测晶片的晶片封装体。

背景技术

传统晶片封装体的制程涉及多道图案化制程与材料沉积制程,不仅耗费生产成本,还需较长的制程时间,因此,业界亟需更为简化与快速的晶片封装技术。

发明内容

本发明提供一种晶片封装体,包括:一半导体基底,具有一上表面及一下表面;一凹口,邻近于半导体基底的一侧壁,其中凹口沿着自半导体基底的上表面朝下表面的一方向而形成;元件区或感测区,位于半导体基底的上表面;一导电垫,位于半导体基底的上表面;以及一导电层,电性连接导电垫,且沿着半导体基底的侧壁延伸至凹口。

本发明提供一种晶片封装体,包括:一半导体基底,具有一上表面及一下表面;一元件区或感测区,位于半导体基底内;一导电垫,位于半导体基底的上表面;以及一导电层,电性连接导电垫,且自半导体基底的上表面延伸至半导体基底的一侧壁上,其中半导体基底的侧壁倾斜于半导体基底的上表面。

本发明提供一种晶片封装体,包括:一晶片,该晶片包括一半导体基底;一指纹辨识区以及一导电垫,位于晶片的一上表面;一凹口,形成于晶片的上表面;一导电层,电性连接导电垫,其中导电层沿着凹口的一侧壁而形成;以及一电路板,具有一接垫,其中导电层通过一导电结构而与电路板上的接垫电性连接。

本发明提供一种晶片封装体,包括:一承载基底;一半导体基底,具有一上表面及一下表面,且设置于该承载基底之上;一元件区或感测区,位于该半导体基底的该上表面;一导电垫,位于该半导体基底的该上表面;一导电层,电性连接该导电垫,且自该半导体基底的该上表面延伸至该半导体基底的一侧壁上;以及一绝缘层,位于该导电层与该半导体基底之间。

本发明所述的晶片封装体,该半导体基底的该侧壁倾斜于该半导体基底的该上表面。

本发明所述的晶片封装体,该元件区或感测区于该上表面直接露出。

本发明所述的晶片封装体,该导电层延伸进入该承载基底中。

本发明所述的晶片封装体,延伸进入该承载基底中的该导电层包括平行于该半导体基底的该上表面的部分。

本发明所述的晶片封装体,该绝缘层延伸进入该承载基底中。

本发明所述的晶片封装体,还包括一电路板,其中该承载基底设置于该电路板之上,且该导电层通过一导电结构而与该电路板上的一接垫电性连接。

本发明所述的晶片封装体,该导电结构包括一焊球或一焊线。

本发明所述的晶片封装体,该导电结构为一焊球,且该焊球位于该承载基底与该电路板之间的一转角处。

本发明所述的晶片封装体,该元件区或感测区包括一指纹辨识区。

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