[发明专利]量子点发光层、其制备方法及QLED

说明书

技术领域

本发明属于量子点发光二极管领域，尤其涉及一种量子点发光层、其制备方法及QLED。

背景技术

量子点(quantumdot，QD)又可称为半导体纳米晶，是半径小于或接近波尔激子半径的纳米晶颗粒，其尺寸非常小，粒径一般介于1-20nm之间。量子点具有量子限域效应，受激后可以发射荧光，且量子点具有独特的发光特性，如激发峰宽、发射峰窄、发光光谱可调等性质，使得其在光电子学领域具有广阔的应用前景。量子点发光二极管显示器(quantumdotlightemittingdevice，QLED)就是将胶体量子点作为发光层采用三明治结构制备的器件，即在不同的导电材料之间引入发光层从而得到所需波长的光。QLED具有色域高、自发光、启动电压低、响应速度快等优点，使其应用前景非常让人振奋，是世界各国显示器技术争相研发的前沿方向。

然而，目前QLED的效率普遍不高。其中，影响QLED效率的一个重要因素就是量子点发光层中量子点半导体纳米粒子导电性差，且受到量子点长烷烃链段配体的影响，电荷传输性质差，QLED启动电压较高，使得QLED能效不高。倘若去除配体，量子点的分散性能变差，会造成量子点团聚，无法实现光电效应。因此，改变量子点的配体是提高QLED效率一个可尝试途径。

发明内容

本发明的目的在于提供一种量子点发光层，旨在解决现有量子点发光层中的量子点配体为长烷烃链段配体，导致电荷传输性质差、QLED启动电压较高、QLED能效不高的问题。

本发明的另一目的在于提供上述量子点发光层的制备方法。

本发明的在一目的在于提供一种QLED，所述QLED含有上述量子点发光层。

本发明是这样实现的，一种量子点发光层，所述量子点发光层中包括量子点和与所述量子点螯合的配体，所述配体为含有极性配位基团的C2-C10化合物，所述配体具有电荷传输性质。

以及，一种量子点发光层的制备方法，包括以下步骤：

提供含有量子点和具有电荷传输性质的配体的混合溶液，制备具有电荷传输性质配体的量子点溶液；

将所述具有电荷传输性质配体的量子点溶液以沉积方式形成量子点发光层。

和一种量子点发光层的制备方法，包括以下步骤：

提供无电荷传输性质的量子点发光层和具有电荷传输性质的配体溶液；

将所述无电荷传输性质的量子点发光层与具有电荷传输性质的配体进行置换反应，获得具有电荷传输性质的配体螯合的量子点发光层。

以及，一种QLED，包括阴极层、阳极层和有机功能层，所述有机功能层包括上述量子点发光层。

本发明提供的量子点发光层，其中含有与所述量子点螯合的具有电荷传输性质的配体，所述配体具有较好的电荷传输性能，可以有效克服量子点发光层电荷传输性质差、启动电压高和能耗大的问题，从而提高量子点发光层电荷传输性质，降低启动电压，进而提高量子点发光二极管能效。此外，通过所述具有电荷传输性质的配体的分散作用，可以获得量子点分布均匀、且致密排布的量子点发光层。

本发明提供的量子点发光层的制备方法，只需将含有量子点和具有电荷传输性质的配体的混合溶液制备成具有电荷传输性质配体的量子点溶液进而沉积、或将无电荷传输性质的量子点发光层和具有电荷传输性质的配体溶液进行置换反应即可获得，其制备方法简单可控，易于实现产业化。

本发明提供的QLED，其有机功能层包括具有电荷传输性质的配体的量子点发光层，从而使得量子点发光层的传输性质提高，降低启动电压，进而提高QLED能效。

具体实施方式

为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明实施例提供了一种量子点发光层，所述量子点发光层中包括量子点和与所述量子点螯合的配体，所述配体为含有极性配位基团的C2-C10化合物，所述配体具有电荷传输性质。