[发明专利]一种微机械硅压力敏感芯片

权利要求书

1.一种微机械硅压力敏感芯片，它包括：硅衬底，其特征是：硅衬底上表面设置有压力膜片，在压力膜片下方有凹形硅杯，硅衬底及压力膜片上方覆盖有隔离层；压力膜片上还设置有压敏电阻；压敏电阻均环绕设置有N+隔离区；压敏电阻通过P+连结区连接到引线孔，P+连结区的引线孔上方设置有金属引线，金属引线与焊盘连结，P+连结区与N+隔离区之间带有空隙；N+隔离区上方的氧化层设置有一个引线孔；在隔离层上面设置有屏蔽层；硅衬底通过N+扩散区、引线孔、金属引线连接到衬底焊盘；压敏电阻由两段通过P+连结区相连的压敏电阻组成。

2.微机械硅压力敏感芯片的制做方法，其特征包括以下步骤：

1）、生长氧化层，

2）、使用光刻、扩散浓磷或注入使氧化层上形成N+隔离区；

3）、光刻、注入浓硼形成P+连接区；

4）、用离子注入工艺形成压敏电阻；

5）、生长氧化隔离层；

6）、使用光刻制出引线孔；

7）、溅射金属、光刻形成引线及焊盘；

8）、合金形成完成芯片内部的电气连接；

9）、溅射金属、光刻形成屏蔽层；

10）、腐蚀背腔制作出硅杯；

11）、芯片中测，检测敏感电阻、击穿、漏电、表面质量；

12）、键合、划片；

13）、完成敏感芯片加工。

3.根据权利要求2所述微机械硅压力敏感芯片的制做方法，其特征是：先注入或扩散形成N+隔离区，再注入P+连结区，再注入敏感电阻。

4.根据权利要求2所述微机械硅压力敏感芯片的制做方法，其特征是：屏蔽层完全覆盖敏感电阻、P+连结区，并通过引线孔与N+隔离区联通，敏感电阻处于等电位对屏蔽层及衬底之间。

5.根据权利要求2所述微机械硅压力敏感芯片的制做方法，其特征是：芯片衬底通过N+掺杂区、引线孔、金属引线连接到独立的衬底焊盘，连接衬底的焊盘与芯片表面的电源V+焊点不直接电连接。

6.根据权利要求2所述微机械硅压力敏感芯片的制做方法，其特征是：芯片衬底通过N+掺杂区、引线孔、金属引线连接到独立焊盘，连接衬底的焊盘与芯片表面的电源V+焊点不直接电连接。

7.根据权利要求2所述微机械硅压力敏感芯片的制做方法，其特征是：屏蔽层采用了与引线同材料的金属制作。