[发明专利]氧化石墨烯嵌硅纳米线复合材料及其制备方法有效
| 申请号: | 201510532301.3 | 申请日: | 2015-08-26 |
| 公开(公告)号: | CN105226243B | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
| 发明(设计)人: | 石佳光;慈立杰;丁显波;茆胜 | 申请(专利权)人: | 深圳市国创新能源研究院 |
| 主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/587;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人: | 张全文 |
| 地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 氧化 石墨 烯嵌硅 纳米 复合材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种氧化石墨烯嵌硅纳米线复合材料,其特征在于,所述氧化石墨烯嵌硅纳米线复合材料包括改性氧化石墨烯、硅纳米线和碳包覆层,其中,所述改性氧化石墨烯为表面含有催化剂的氧化石墨烯,且所述硅纳米线通过所述催化剂诱导沉积在所述氧化石墨烯表面,所述碳包覆层包覆在所述硅纳米线表面,所述氧化石墨烯、硅纳米线和碳包覆层的质量比为(1-5):(8-15):(0.5-5),
所述氧化石墨烯嵌硅纳米线复合材料的制备方法,包括以下步骤:
氧化石墨烯预处理:采用热蒸发或磁控溅射的方法在氧化石墨烯表面沉积催化剂,获得改性氧化石墨烯;
硅纳米线沉积:将所述改性氧化石墨烯置于密闭设备中,在负压条件下通入硅源和氢气,对所述改性氧化石墨烯进行沉积处理,获得表面沉积有硅纳米线的改性氧化石墨烯;
碳包覆:通入碳源,在常压条件下对所述硅纳米线进行沉碳处理,得到氧化石墨烯嵌硅纳米线复合材料。
2.如权利要求1所述的氧化石墨烯嵌硅纳米线复合材料,其特征在于,所述催化剂为Ti、Au、Pt、Co、Ni、Fe中的至少一种。
3.如权利要求1所述的氧化石墨烯嵌硅纳米线复合材料,其特征在于,所述硅纳米线直径为30-50nm,长度1-2μm。
4.如权利要求1-3任一所述的氧化石墨烯嵌硅纳米线复合材料,其特征在于,所述碳包覆层厚度为2-5nm。
5.如权利要求书1所述的氧化石墨烯嵌硅纳米线复合材料,其特征在于,所述硅源和氢气的体积比为(1:1)-(1:6)。
6.如权利要求书1所述的氧化石墨烯嵌硅纳米线复合材料,其特征在于,所述负压条件的压力为-0.01Mpa~-0.08Mpa。
7.如权利要求书1所述的氧化石墨烯嵌硅纳米线复合材料,其特征在于,所述沉积处理的温度为400-700℃,时间为5-60min。
8.如权利要求书1所述的氧化石墨烯嵌硅纳米线复合材料,其特征在于,对所述硅纳米线进行沉碳处理的温度为650-900℃,时间为10-120min。
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