[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一半导体芯片；以及

第二半导体芯片，耦合至所述第一半导体芯片，其中

所述第一半导体芯片包括存储器电路，所述存储器电路包括多个存储器区域，所述存储器区域中的每一个存储器区域包括存储器单元，并且

所述第二半导体芯片包括：

多个温度传感器，在所述第二半导体芯片中设置彼此不同的位置中，所述多个温度传感器中的每一个温度传感器配置为测量温度；以及

存储器控制器，基于从所述多个温度传感器中的相应的一个温度传感器输出的输出结果，而控制所述第一半导体芯片的所述存储器电路的所述多个存储器区域中的每一个存储器区域。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述存储器控制器向所述第一半导体芯片发送指令，所述指令用于指示：基于所述多个温度传感器中的相应的一个温度传感器的输出结果，来刷新所述多个存储器区域中的每一个存储器区域。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述存储器控制器基于所述多个温度传感器中的相应的一个温度传感器的输出结果，来确定刷新周期，所述多个存储器区域中的相应的一个存储器区域在确定的所述刷新周期中被刷新。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片通过硅贯通电极而彼此耦合。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括布线线路，其中

所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片被布置为使得它们在平面图中不彼此重叠；并且

所述半导体器件进一步包括布线衬底，在所述布线衬底上，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片通过所述布线线路而彼此耦合。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片按照它们的主表面彼此相对的方式布置，从而使得：针对所述多个温度传感器中的每一个温度传感器，所述多个存储器区域中的每一个存储器区域在与所述第一半导体芯片的所述主表面垂直的方向上，定位在与所述温度传感器对准的位置中。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述多个温度传感器中的每一个温度传感器包括：开关电路，将所述温度传感器与所述多个存储器区域中的至少一个存储器区域相关联。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

形成所述存储器控制器的晶体管中的至少一个晶体管的栅极长度比形成所述存储器单元的晶体管中的至少一个晶体管的栅极长度更长。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

形成所述存储器控制器的晶体管中的至少一个晶体管的栅极长度比形成所述存储器单元的晶体管中的至少一个晶体管的栅极长度更短。

10.一种半导体器件，设置在第一半导体衬底上，所述半导体器件耦合至设置在与所述第一半导体衬底不同的第二半导体衬底上的存储器电路，所述半导体器件包括：

逻辑电路，执行期望的操作；

温度传感器，测量温度；以及

存储器控制器，基于所述温度传感器的输出结果、以及从所述存储器电路接收的温度信息，来控制位于所述存储器电路中的存储器区域。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中

所述存储器控制器包括：

寄存器，保存有表示了用于所述存储器区域的刷新周期的值；

刷新周期确定电路，将所述温度传感器的输出结果的值与从所述存储器电路接收的所述温度信息的值进行比较，并且当所述输出结果的值大于所述温度信息的值时，向所述寄存器设置第一值，而当所述输出结果的值小于所述温度信息的值时，向所述寄存器设置第二值；以及

调度器，向所述存储器电路发送指令，所述指令用于指示：在由保存在所述寄存器中的值指定的所述刷新周期中，刷新所述存储器区域。