[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置有效
| 申请号: | 201510531471.X | 申请日: | 2015-08-26 |
| 公开(公告)号: | CN105070740B | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
| 发明(设计)人: | 李光;许晨 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/528;H01L51/56;G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,用于有机发光二极管显示面板,所述阵列基板包括衬底基板和形成于所述衬底基板上多个像素单元,以相邻的两行所述像素单元为一像素单元组,属于同一所述像素单元组的两行所述像素单元之间设置一条复位线并共用所述复位线;其中,所述像素单元包括用于复位的第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括依形成于所述衬底基板之上的半导体导电层、第一绝缘层、栅电极、第二绝缘层和源漏极金属层,所述半导体导电层包括第一半导体电极和第二半导体电极,所述源漏极金属层包括所述第一薄膜晶体管的源电极和漏电极,所述第一半导体电极和所述第二半导体电极与所述第一薄膜晶体管的源电极和漏电极分别通过第一过孔对应的电连接;其特征在于:
属于同一所述像素单元组的两行所述像素单元的所述第一薄膜晶体管的漏电极通过同一第二过孔与所述复位线电连接,所述第二过孔位于所述复位线和所述第二半导体电极的交叠区域的上方,所述第二过孔内部为梯形结构,部分区域暴露所述复位线的一部分,所述第二过孔的另一部分区域暴露部分所述第二半导体电极的一部分;
所述源漏极金属层还包括金属电极,所述金属电极覆盖所述第二过孔暴露的所述复位线和所述第二半导体电极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二过孔在所述衬底基板上的垂直投影落于所述复位线在所述衬底基板上的垂直投影之内。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,属于同一所述像素单元组的两行所述像素单元之间还设置有两条复位扫描线,所述复位线设置于两条所述复位扫描线之间。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,属于同一所述像素单元组的两行所述像素单元之间还设置有两条栅线,两条所述复位扫描线设置于两条所述栅线之间。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述复位扫描线、所述栅线和所述第一薄膜晶体管的栅电极同层设置。
6.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括设置于两列相邻所述像素单元之间的数据线和电源信号线。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述像素单元还包括发光单元、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和电容器,所述第一薄膜晶体管的栅电极连接与之相近的所述复位扫描线,所述第一薄膜晶体管的源电极连接第二薄膜晶体管的源电极、第三薄膜晶体管的栅电极和所述电容器的一端,所述第二薄膜晶体管的栅电极连接与之相近的所述栅线,所述第二薄膜晶体管的漏电极连接数据线,所述第三薄膜晶体管的漏电极连接电源信号线,所述第三薄膜晶体管的源电极连接所述发光单元,所述电容器的另一端连接所述电源信号线。
8.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至7任意一项所述的阵列基板。
9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求8所述的显示面板。
10.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成包括第一半导体电极和第二半导体电极的半导体导电层;
在所述半导体导电层之上形成第一栅极绝缘层;
在所述第一栅极绝缘层之上形成包括复位线和第一薄膜晶体管的栅电极的栅极金属层;
在所述栅极金属层之上形成第二栅极绝缘层,在一次构图工艺中,形成对应所述第一半导体电极和所述第二半导体电极的位置的第一过孔,以及使相邻两行像素单元的所连接的所述第二半导体电极和所述复位线交叠区域所对应位置形成内部为梯形结构的第二过孔,所述第二过孔的部分区域暴露出所述复位线的一部分,所述第二过孔的另一部分区域暴露出所述第二半导体电极的一部分;
在所述第二栅极绝缘层之上形成包括所述第一薄膜晶体管的源电极和漏电极、金属电极的源漏极金属层,所述第一薄膜晶体管的源电极和漏电极分别通过所述第一过孔与所述第一半导体电极和所述第二半导体电极对应的电连接,所述金属电极覆盖所述第二过孔暴露的所述复位线和所述第二半导体电极,使所述复位线与所述第二半导体电极电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





