[发明专利]一种用于超硬超脆人工晶体材料外圆研磨加工的全自动磨床在审

专利信息
申请号: 201510530902.0 申请日: 2015-08-26
公开(公告)号: CN105033784A 公开(公告)日: 2015-11-11
发明(设计)人: 张松林;周君君 申请(专利权)人: 成都超迈光电科技有限公司
主分类号: B24B5/04 分类号: B24B5/04;B24B47/16;B24B41/06;B24B41/04
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地址: 610000 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 超硬超脆 人工 晶体 材料 研磨 加工 全自动 磨床
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种超硬超脆人工晶体材料的外圆加工设备,具体为一种适合于特殊玻璃、人造蓝宝石、氟化镁、尖晶石、硫化锌、单晶硅、锗单晶等超硬超脆材料的外圆加工,并且特别适合于有晶向要求的人工晶体材料的外圆加工的磨床。

背景技术

以蓝宝石、碳化硅和镁铝尖晶为代表的超硬晶体是第三代半导体材料GaN和ZnO外延薄膜最常用的衬底材料,在固体照明、微电子器件、航空航天等领域应用十分广泛,目前在对于超硬超脆的人工晶体材料进行加工时的外圆加工绝大多数采用传统外圆磨床进行加工,由于传统外圆磨床设计基础是加工金属材料,其功能特性难以满足特殊玻璃、人造蓝宝石、氟化镁、尖晶石、硫化锌、单晶硅、锗单晶等超硬超脆材料的外圆加工的特殊要求,如这些材料切削液均是碱性或酸性切削液,长期使用对设备将产生严重腐蚀,传统外圆磨床工件装夹均是中心孔定位装夹,而绝大数超硬超脆人工晶体材料具备不能车削的物理性能,且部分材料均有特殊的晶向要求,因此在外圆磨削加工时大多采用圆柱毛坯的两端面进行定位装夹,传统外圆磨床的工件装夹方法无法适应超硬超脆人工晶体材料加工的需要,目前,国内暂无专门用于特殊超硬超脆人工晶体材料加工的外圆研磨设备,国际上如美国和日本有相关的专用设备,但价格昂贵,如日本某公司的设备售价130万人民币,国内大多数企业难以承受此价格,鉴于此,超硬超脆人工晶体材料的外圆加工急需一种低成本、高效率、高精度和高度自动化的专用加工设备。

发明内容

针对原有技术中的不足与投入大的弊端,本发明目的在于提供一种用于超硬超脆人工晶体材料外圆研磨加工的全自动磨床,彻底解决进口设备价格昂贵,而国产传统金属加工外圆磨床所带来的加工弊端。

本发明为实现上述目的所采用的技术方案是:

一种用于超硬超脆人工晶体材料外圆研磨加工的全自动磨床,其特征在于:所述磨床的主要结构包括为HT250铸造底座、主轴磨头十字滑台、十字滑台驱动控制单元、主轴磨头系统、主轴磨头驱动控制单元、固定驱动工件头、固定驱动工件头控制单元、可移动从动工件头、从动工件头移动导轨、气压装夹系统组成,具体结构为:设备基座、减速电机、固定驱动工件头、传动轴、工件顶针I、工件、工件顶针II、可移动从动工件头、锁紧螺母、气缸连接板、导轨、气缸、导轨锁紧螺钉、气源控制中心、导轨滑块、导轨锁紧螺钉、丝杠支撑座、磨轮、磨轮锁紧螺钉、伺服电机、丝杠固定座、丝杆、导轨滑块、导轨滑块、导轨、导轨锁紧螺钉、丝杆固定座、伺服电机、主轴驱动电机、同步轮、导轨、导轨锁紧螺钉、丝杠支撑座、同步、同步轮、高速主轴磨头、过渡板I、过渡板II,所述主轴磨头系统在十字滑台上通过操作系统进行精确移动;减速电机与驱动固定工件头联接,工件装夹在固定驱动工件头与可移动从动工件头之间,通过气压装夹系统压紧,固定工件头通过工件带动可移动从动工件头同步旋转,驱动固定工件头的减速电机为变频可调式电机,根据设定要求按照设定转速运转。

优选的,所述磨床高速主轴头最高转速为6000r/min,主轴头转速为变频可调式。

优选的,设备切削液过流部件部分全部喷涂聚四氟乙烯或其他工程涂料,防止切削液腐蚀设备零部件,设备传动部件全部进行发黑处理,杜绝切削液腐蚀零件带来传动精度的降低。

优选的,产品装夹过程为:产品通过气缸压紧在两个法兰中间,从动驱动端法兰通过工件与法兰摩擦力带动同步旋转,法兰端面跳动小于0.01mm;以Y轴为基准的平面度优于0.02mm,法兰与工件之间垫小于0.1mm的碳毡以增大摩擦力,气缸压力不小于0.8MPA。

优选的,设备磨头安装在X、Y轴十字滑台上,磨头可以沿X、Y轴通过伺服电机驱动精密丝杠控制,传动精度优于传动设备。

优选的,设备选用树脂结合剂金刚石磨轮,金刚石粒度为60#-220#,金刚石密度不下于30%

发明的有益效果:

本发明改变了传统磨床均是工件沿X方向往复运动,磨头沿Y轴方向运动进刀的进刀方式,本发明的磨头既可以沿X方向移动又可以沿Y轴方向移动,工件头只自转不沿X方向移动,目前国内没有这种结构,彻底解决进口设备价格昂贵,而国产传统金属加工外圆磨床所带来的加工弊端,本发明将大幅度降低设备成本,高效率、高精度和高度自动化的研磨超硬超脆人工晶体材料。

附图说明

图1是本发明结构示意图;

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