[发明专利]使用银浆料进行结合的方法在审
| 申请号： | 201510530833.3 | 申请日： | 2015-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN105609432A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 洪坰国;卢炫祐;郑永均;千大焕;李钟锡;姜修槟 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;张燕 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 浆料 进行 结合 方法 | ||
1.一种使用银浆料进行结合的方法，所述方法包括以下步骤：
使用银浆料涂覆半导体器件或基板，所述银浆料包括多个银颗粒 和多个铋颗粒；
将所述半导体器件布置在所述基板上；以及
通过加热所述银浆料来形成结合层，
其中所述半导体器件和所述基板通过所述结合层而相互结合。
2.根据权利要求1所述的方法，其中在形成所述结合层的步骤中， 所述加热在272℃或更高温度进行。
3.根据权利要求2所述的方法，其中在形成所述结合层的步骤中， 所述加热在300℃或更高温度进行。
4.根据权利要求3所述的方法，其中形成所述结合层的步骤包括：
加热所述银浆料以将所述铋颗粒转化为铋液体；
用所述铋液体覆盖所述银颗粒的表面；
使覆盖所述银颗粒的表面的铋液体接触邻近的铋液体；
使所述铋液体扩散到所述银颗粒中；以及
使所述银颗粒扩散到所述铋液体中以形成所述银颗粒相互接合的 结合层。
5.根据权利要求4所述的方法，其中在形成所述结合层的步骤中， 基本上所有的所述铋液体扩散到所述银颗粒中。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述铋颗粒以10wt％或更少 的量包含在所述银浆料中。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述铋颗粒以5wt％或更少 的量包含在所述银浆料中。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述银颗粒具有1～10μm范 围内的直径。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述铋颗粒具有1～10μm范 围内的直径。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
