[发明专利]一种微型显示芯片的彩色像素结构有效
| 申请号: | 201510522802.3 | 申请日: | 2015-08-24 |
| 公开(公告)号: | CN105047681B | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
| 发明(设计)人: | 吴其松 | 申请(专利权)人: | 深圳市万中和科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;G02F1/015 |
| 代理公司: | 广东卓建律师事务所 44305 | 代理人: | 叶新建 |
| 地址: | 518131 广东省深圳市龙华新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 微型 显示 芯片 彩色 像素 结构 | ||
1.一种微型显示芯片的彩色像素结构,其特征在于,所述彩色像素结构由下至上依次包括:驱动电路层、显示芯片模块和彩色滤光层,其中,所述显示芯片模块包括若干个结构相同的显示芯片单元,所述显示芯片单元为倒装的GaN发光二极管;每个所述显示芯片单元外部设置有硅胶与荧光粉填充区;所述硅胶与荧光粉填充区左右两侧设置有遮挡侧壁,用于分隔各显示芯片单元;所述彩色滤光层包括若干个相邻设置的单色滤光层,所述若干个单色滤光层与所述若干个显示芯片单元对应设置;所述彩色滤光层的底端不低于所述遮挡侧壁的顶端。
2.根据权利要求1所述的微型显示芯片的彩色像素结构,其特征在于,所述倒装的GaN发光二极管由下至上依次包括:电极层、电极焊料层、n型电极层和p-GaN层、n-GaN层、基底层、增透层;所述p-GaN层与所述n-GaN层之间设置有多重量子阱。
3.根据权利要求2所述的微型显示芯片的彩色像素结构,其特征在于,所述电极层由正极层和负极层组成,所述正极层与所述负极层之间开设有沟槽,使所述正极层和所述负极层无接触;所述电极焊料层在所述正极层和所述负极层之间沟槽的位置也开设有沟槽。
4.根据权利要求3所述的微型显示芯片的彩色像素结构,其特征在于,所述驱动电路层为硅基CMOS电路,所述驱动电路层内设置有像素驱动电路连接层,所述像素驱动电路连接层通过穿孔分别与所述正极层和所述负极层互联。
5.根据权利要求2-4任一项所述的微型显示芯片的彩色像素结构,其特征在于,所述基底层为蓝宝石层。
6.根据权利要求5所述的微型显示芯片的彩色像素结构,其特征在于,所述彩色滤光层为红色滤光胶层、绿色滤光胶层和蓝色滤光胶层,通过涂胶光刻的方式设置于所述显示芯片单元上部。
7.根据权利要求6所述的微型显示芯片的彩色像素结构,其特征在于,所述彩色滤光层与所述显示芯片之间还设置有紫外阻隔层。
8.根据权利要求7所述的微型显示芯片的彩色像素结构,其特征在于,所述彩色滤光层上表面设置有SiO2保护层,所述SiO2保护层下表面镀有紫外阻隔薄膜,所述紫外阻隔薄膜为禁带宽度大于3.26eV的金属氧化物或者氮化物。
9.根据权利要求8所述的微型显示芯片的彩色像素结构,其特征在于,所述金属氧化物为ZnO,所述氮化物为SiC;所述倒装的GaN发光二极管通过回流焊或激光精细焊接工艺与所述驱动电路连接层电联。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





