[发明专利]有机发光元件有效
申请号: | 201510522427.2 | 申请日: | 2015-08-24 |
公开(公告)号: | CN105206753B | 公开(公告)日: | 2017-03-22 |
发明(设计)人: | 王禹清;赵清烟 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 梁挥,鲍俊萍 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 元件 | ||
1.一种有机发光元件,其特征在于,该有机发光元件包括:
一基板;
一第一电极,位于该基板上;
一有机发光层,位于该第一电极上;
一第二电极,位于该有机发光层上,其中该有机发光层位于该第一电极与该第二电极之间;以及
一结晶层,位于该第二电极上,其中该第二电极位于该结晶层与该有机发光层之间,该结晶层的材料包括由式(1)表示的化合物,其中X为Si、Ge、Sn、Pb或C,且该结晶层具有一粗糙表面,
2.根据权利要求1所述的有机发光元件,其特征在于,该结晶层的最大厚度小于1μm。
3.根据权利要求1所述的有机发光元件,其特征在于,该第一电极包括一反射电极,且该第二电极包括一穿透电极。
4.根据权利要求1所述的有机发光元件,其特征在于,更包括一缓冲层,位于该第二电极与该结晶层之间。
5.根据权利要求1所述的有机发光元件,其特征在于,该粗糙表面为一出光表面。
6.一种有机发光元件,其特征在于,该有机发光元件包括:
一基板;
一第一电极,位于该基板上;
一有机发光层,位于该第一电极上;
一第二电极,位于该有机发光层上,其中该有机发光层位于该第一电极与该第二电极之间;以及
一结晶层,位于该第二电极上,其中该第二电极位于该结晶层与该有机发光层之间,该结晶层的材料包括由式(2)表示的化合物,且该结晶层具有一粗糙表面,
7.根据权利要求6所述的有机发光元件,其特征在于,该结晶层的最大厚度小于1μm。
8.根据权利要求6所述的有机发光元件,其特征在于,该第一电极包括一反射电极,且该第二电极包括一穿透电极。
9.根据权利要求6所述的有机发光元件,其特征在于,更包括一缓冲层,位于该第二电极与该结晶层之间。
10.根据权利要求6所述的有机发光元件,其特征在于,该粗糙表面为一出光表面。
11.一种有机发光元件,其特征在于,该有机发光元件包括:
一基板;
一第一电极,位于该基板上;
一有机发光层,位于该第一电极上;
一第二电极,位于该有机发光层上,其中该有机发光层位于该第一电极与该第二电极之间;以及
一结晶层,位于该第二电极上,其中该第二电极位于该结晶层与该有机发光层之间,该结晶层的材料包括由式(3)表示的化合物,且该结晶层具有一粗糙表面,
12.根据权利要求11所述的有机发光元件,其特征在于,该结晶层的最大厚度小于1μm。
13.根据权利要求11所述的有机发光元件,其特征在于,该第一电极包括一反射电极,且该第二电极包括一穿透电极。
14.根据权利要求11所述的有机发光元件,其特征在于,更包括一缓冲层,位于该第二电极与该结晶层之间。
15.根据权利要求11所述的有机发光元件,其特征在于,该粗糙表面为一出光表面。
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