[发明专利]光刻胶的去除方法有效
| 申请号： | 201510521796.X | 申请日： | 2015-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN105045051A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 陈哲;张睿;王者馥;王绪敏;殷金龙;任鲁风 | 申请（专利权）人： | 北京中科紫鑫科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101111 北京市大兴区经济技术*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 去除 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光刻胶的去除方法，其特征在于，包括以下步骤：
使用湿法刻蚀去除光刻胶；
使用酸溶液洗涤光纤面板的光刻胶残留；
加热碱溶液，使用碱溶液洗涤；
将使用碱溶液洗涤完的光纤面板放入水中，持续通入臭氧；
放入氯水中洗涤；
使用有机溶剂浸泡。
2.如权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，所述酸溶液为次氯酸溶液、高氯酸溶液、氢氟酸溶液或硝酸溶液。
3.如权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，所述碱溶液为氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液和氨水溶液中的一种或几种。
4.如权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，加热碱溶液的温度为70-90℃，使用碱溶液洗涤10分钟以上。
5.如权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，通入臭氧的时间为20分钟以上。
6.如权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，加入氯水后，反应10分钟以上。
7.如权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，所述有机溶剂为正己烷和N-N二甲基甲酰胺中的一种或两种。
8.如权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，使用有机溶剂浸泡的时间为1小时以上。
9.如权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，使用有机溶剂浸泡的温度为40-55℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中科紫鑫科技有限责任公司，未经北京中科紫鑫科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510521796.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：图像形成装置
- 下一篇：一种阵列基板和显示装置
