[发明专利]一种显示基板及其制备方法、透明显示装置有效
申请号: | 201510520352.4 | 申请日: | 2015-08-21 |
公开(公告)号: | CN105070728B | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 张洪术 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素区域 显示基板 钝化层 第二金属层 第一金属层 透明显示装置 显示装置 基板 制备 彩色滤光片 子像素区域 光线透过 生产效率 透明显示 依次设置 半反射 光透过 金属层 波长 半透 | ||
本发明涉及透明显示技术领域,公开了一种显示基板及其制备方法、透明显示装置。该显示基板包含多个像素区域,每个像素区域包括多个子像素区域,其特征在于,还包括:基板,依次设置在基板上且位于子像素区域的第一金属层、钝化层及第二金属层,其中,第一金属层及第二金属层均为半透半反射的金属层,且位于同一个像素区域的多个子像素区域的钝化层厚度不同;第一金属层、钝化层及第二金属层构成法泊腔,法泊腔根据钝化层厚度的不同允许不同波长的光透过。在上述技术方案中,通过形成的法泊腔使得显示装置不需要使用彩色滤光片,通过显示基板即可实现选择不同颜色的光线透过,简化了显示装置的结构,提高了生产效率。
技术领域
本发明涉及透明显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制备方法、透明显示装置。
背景技术
带通滤光片是指一定的波段内,只有中间一小段是高透射率的通带,而在通带的两侧是高反射率的截止带,如图1所示,图1表征滤光片特征的主要参数有:
λ0-中心波长或称峰值波长;
Tmax-中心波长的透射率,也即峰值透射率;
2Δλ-透射率为降值透射率一半的波长宽度,也即通半宽度,或用2Δλ/λ0表示相对半宽度。
通常,带通滤光片可以有两种结构形式,一种是由一个长波通膜系和一个短波通膜系的重叠通带波段形成带通滤光片的通带。这种结构得到的光谱特性是:可以获得较宽的截止带和较深的截止度,但不容易获得较窄的通带,所以常用于获得宽带通滤光片。第二种是Fabry-Perot干涉仪形成的滤光膜系,这种结构得到的光谱特性是:可以获得较窄的通带,但截止带宽度通常也比较窄,截止度也不深,所以大多数情况下都需要配合使用截止滤光片来拓宽截止带和增加截止深度,因此,现有技术中提供的带通滤光片的光线的透过率较低,而且在透明显示装置中增加滤光片造成整个显示装置结构复杂,需要较多的制作工艺,影响显示装置的制作效率。
发明内容
本发明提供了一种显示基板及其制备方法、透明显示装置,用以简化显示装置的结构,提高制造效率。
本发明提供了一种显示基板,该显示基板包含多个像素区域,每个所述像素区域包括多个子像素区域,还包括:基板,依次设置在所述基板上且位于所述子像素区域的第一金属层、钝化层及第二金属层,其中,所述第一金属层及所述第二金属层均为半透半反射的金属层,且位于同一个所述像素区域的多个所述子像素区域的钝化层厚度不同;
所述第一金属层、钝化层及第二金属层构成法泊腔,所述法泊腔根据所述钝化层厚度的不同允许不同波长的光透过。
在上述技术方案中,通过采用第一金属层、第二金属层以及不同厚度的钝化层形成法泊腔,法泊腔根据钝化层的厚度可以允许不同波长的光线透过,从而使得显示装置无需使用彩膜滤光片,直接通过显示基板上的结构即可实现允许不同的光线通过,减少了显示装置的结构。
优选的,每个所述像素区域包括三个子像素区域,对应三个所述子像素区域的钝化层分别具有第一厚度、第二厚度及第三厚度,且所述第一厚度钝化层对应的子像素区域允许红色光透过,所述第二厚度钝化层对应的子像素区域允许绿色光透过,所述第三厚度钝化层对应的子像素区域允许蓝色光透过。
优选的,所述钝化层的厚度满足以下公式:d=m*λ/2n;其中,m为奇数,n为钝化层折射率,其中,λ为该厚度的钝化层对应的子像素区域允许通过的光线的波长。
优选的,所述第二金属层为银,且所述第二金属层的厚度为35~45nm。
优选的,所述钝化层为MgF2、SiO2、Si3N4、TiO2中的任一材料制作的钝化层。选择不同介电材料制作钝化层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的