[发明专利]多晶硅太阳能电池的制绒方法有效
申请号: | 201510518472.0 | 申请日: | 2015-08-21 |
公开(公告)号: | CN105040108B | 公开(公告)日: | 2017-11-17 |
发明(设计)人: | 何云海 | 申请(专利权)人: | 浙江启鑫新能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236 |
代理公司: | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙)33228 | 代理人: | 代忠炯 |
地址: | 315700 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 多晶 太阳能电池 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池制备方法技术领域,具体涉及一种多晶硅太阳能电池的制绒方法。
背景技术
多晶硅是熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。多晶硅由于各个晶粒的晶向不一样,不能像单晶硅一样采用碱腐蚀;为了得到良好的多晶硅绒面,目前有多种方法,比如反应离子刻蚀法、机械刻槽法和化学腐蚀法。其中化学腐蚀法,由于操作方便、重复性强,在工业化生产中得到了大规模的应用。其原理如下:主要采用酸制绒工艺,体系主要包括硝酸和氢氟酸,具体反应方程式如下:
3Si+4HNO3——3SiO2+2H2O+4NO
SiO2+6HF——H2(SiF6)+2H2O
其中硝酸作为强的氧化剂,将硅养活成致密不溶于水的二氧化硅附着在硅片表面,阻止硝酸与硅的进一步反应,但二氧化硅可以与溶液中的氢氟酸发生反应,生产可溶于水的络合物H2(SiF6),导致二氧化硅破坏,此时硝酸与硅再次发生化学反应,硅片表面不断的被腐蚀,最终形成连续致密的“虫孔状”结构。虽然该方法不需要特定的反应设备,工艺也相对简单,制造成本低,但是此方法由于是纯化学反应、酸于硅片反应速度快、稳定性不容易控制,反应的温度等也是影响硅片制绒效果的关键因素,稍微控制不好会造成多晶硅表面陷光效果和电池的光电转化率低,电池绒面不均匀、反射率高等不足。
发明内容
本发明针对现有技术的上述不足,提供一种稳定性好,温度易于控制,多晶硅表面陷光效果好和电池的光电转化率高,绒面均匀、反射率低的多晶硅太阳能电池的制绒方法。
为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:一种多晶硅太阳能电池的制绒方法,步骤包括:
(1)首先在制绒槽内配制制绒水溶液,配制原料包括:氢氟酸5-20wt%,硝酸25-55wt%,硅氟酸0.5-5wt%,醋酸0.1-0.5wt%,添加剂0.5-1.5wt%,余量为水;将上述各组分混合并搅拌均匀;
所述的添加剂组成为:聚乙烯醇0.2-0.8wt%,三乙醇胺0.1-6wt%,水解聚马来酸酐1-6wt%,聚乙烯吡咯烷酮0.05-0.1wt%,余量为水:
(2)将步骤(1)的制绒水溶液维持温度为0-30℃,然后将多晶硅片置于上述水溶液中放置100-300s,并同时进行超声震动,超声频率40-60KHZ;然后取出置于氢氧化钠0.2-0.5wt%、十二烷基苯磺酸钠0.5-2wt%,余量为水构成的清洗液中进行清洗、取出吹干即可。
作为优选,所述的制绒槽内配制制绒水溶液,配制原料包括:氢氟酸10-15wt%,硝酸25-45wt%,硅氟酸0.5-1.5wt%,醋酸0.1-0.2wt%,添加剂0.5-1.0wt%,余量为水。
作为优选,所述的添加剂组成为:聚乙烯醇0.2-0.5%,三乙醇胺0.1-0.8%,水解聚马来酸酐1-2%,聚乙烯吡咯烷酮0.05-0.08%,余量为水。
本发明的优点和优异效果:
1.本发明的上述制备过程,在传统的氢氟酸、硝酸制绒液体中添加了硅氟酸、醋酸,二者可以起到缓蚀剂的作用,降低氢氟酸对多晶表面的快速腐蚀,从而增加制绒液体的稳定性和可控性;特别是醋酸的加入降低了整体的混合液浓度,从而降低腐蚀速率,同时减小了多晶硅片的表面张力,利于附着在多晶硅表面的气泡脱离,从而使得制绒液体与多晶硅片表面充分、均匀的接触,提高制绒效果和均匀度。此外,制绒过程采用超声震动,也可以实现将制绒过程附着在多晶硅表面的气泡脱离,防止对表面的遮蔽,实现各个角落均匀腐蚀,制备出较好的绒面。此外,本发明还在绒液中添加了添加剂,使得制备的绒面规则,反射率低,反应过程可控。
2.本发明的制绒后的清洗液具有能有效去除杂质,表面清洗后一致性好,反射率低的优点。
附图说明
图1本发明实施例1制备的硅片制绒微观图。
图2本发明实施例2制备的硅片制绒微观图。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步具体描述,但不局限于此。
实施例采用的硅片为市售多晶硅硅片,尺寸为2×2cm,厚度180-200微米,电阻率为0.5-1.5Ω·cm。
实施例1
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江启鑫新能源科技股份有限公司,未经浙江启鑫新能源科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510518472.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种FPGA系统加密及参数配置方法
- 下一篇:机载雷达射频隐身性能评测方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的