[发明专利]用于横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的直通硅通孔处理技术

权利要求书

1.一种场效应晶体管，其特征在于，该场效应晶体管包括：

一个半导体衬底，具有第一和第二对边，并且栅极、源极和漏极区形成在所述的第一对边上，所述的栅极区具有一个横向栅极通道；

所述的半导体衬底包括一衬底层上的第一半导体层，设置在所述的第一半导体层上方的第二半导体层，所述的第一半导体层和第二半导体层具有第一导电类型，其中所述的第一半导体层的掺杂浓度高于所述的第二半导体层的掺杂浓度；

一个与所述的漏极区电连接的漏极接头形成在所述的第一对边上；一个与所述的源极区电连接的源极接头形成在所述的第二对边上；

一个或多个带有导电插头的沟槽，导电插头与所述的源极区电连接，其中所述的一个或多个沟槽从所述的第二对边延伸到第一半导体层的深度截止，其中所述的多个沟槽含有多个空间分离的沟槽，一个接触沟槽，将所述的源极区电连接至所述的源极接头。

2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，其中所述的第二半导体层含有第一导电类型的第一部分，以及与第一导电类型相反的第二导电类型的第二部分，其中所述的源极区形成在所述的第一部分顶部，所述的漏极区形成在所述的第二部分顶部。