[发明专利]用于选择性超低k孔密封的可流动电介质

权利要求书

1.一种密封具有外表面和开口通向所述外表面的孔的多孔电介质层中的孔的方法，其包括：

引入气相电介质前体到处理室中，其中所述电介质前体的分压在所述电介质前体的饱和压以下，从而在所述多孔电介质层的所述孔的至少所述开口中选择性地沉积可流动电介质膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述多孔电介质层包括形成在其中的凹陷区域，使得所述外表面包括所述凹陷区域的表面，其中从所述凹陷区域表面凹陷的孔通过所沉积的所述可流动电介质膜密封。

3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述凹陷区域没有实质性沉积的情况下执行所述可流动电介质膜的所述沉积。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将氧化剂引入所述处理室中。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述可流动电介质膜是通过所述孔中的毛细凝聚沉积的。

6.根据权利要求1所述的方法，其还包括执行所述可流动电介质膜的沉积后处理。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述可流动电介质膜是掺杂的或未掺杂的氧化硅、碳掺杂的氧化硅、氧氮化硅、或氮化硅材料。

8.根据权利要求2所述的方法，其还包括在所述凹陷区域表面上形成含金属层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述含金属层是氧化锰硅。

10.根据权利要求2所述的方法，其还包括用金属填充所述凹陷区域。

11.根据权利要求1所述的方法，其中在所述处理室内的温度为介于约-20℃和100℃之间。

12.根据权利要求2所述的方法，其中所述凹陷区域的底部包括暴露的金属、金属氮化物或金属氧化物表面。

13.根据权利要求12所述的方法，其中在所述金属、金属氮化物或金属氧化物表面上没有沉积的情况下，执行所述可流动电介质膜的沉积。

14.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括使所述多孔电介质层暴露于所述电介质前体，从而替换所述多孔电介质层中的键。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述电介质前体是烷氧基硅烷。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述电介质前体是烷基硅烷。

17.根据权利要求1所述的方法，其中所述电介质前体是氨基硅烷。

18.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将非卤化催化剂引入所述处理室中。

19.根据权利要求1所述的方法，其中所述可流动电介质膜是碳掺杂的可流动电介质膜。

20.根据权利要求1所述的方法，其还包括在所述孔中选择性沉积后并在金属覆盖沉积前执行等离子体处理。

21.一种方法，其包括：

提供多孔的层间电介质(ILD)层，在所述多孔的层间电介质(ILD)层中形成有暴露金属表面的沟槽、通孔或其它凹陷区域；

引入在气相电介质前体的饱和压以下的所述气相电介质前体以在所述多孔ILD层的孔的至少所述开口中选择性地凝聚所述电介质前体；

在所述沟槽中形成含金属的阻挡层；以及

用导电材料填充所述沟槽。

22.一种装置，其包括：

可流动电介质沉积室，该可流动电介质沉积室被配置成在设置在该可流动电介质沉积室内的工件上沉积可流动电介质膜；以及控制器，该控制器包括用于以下操作的指令：

保持工件温度在介于-20℃和100℃之间；

将电介质前体和共反应物引入所述沉积室持续5秒或5秒以下的时间段，从而在所述工件的孔中选择性地沉积可流动电介质膜。