[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板结构

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板的制作方法及TFT基板结构。

背景技术

在显示技术领域，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)等平板显示器已经逐步取代CRT显示器。

通常液晶显示装置包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组(Backlight module)。其中，液晶面板的结构主要是由一薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)、一彩色滤光片基板(Color Filter，CF)、以及配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。

薄膜晶体管阵列基板即TFT基板是液晶显示器中的重要组成部分。在TFT基板中，为了调整器件的阈值电压，需要进行沟道掺杂。通常在栅极氧化膜形成之后，在沟道区域通过离子植入技术把少量的施主或受主杂质离子注入进去，从而完成沟道掺杂。而离子植入制程中，以离子注入机实现离子植入最为常见，如沟道区、N型重掺杂区、N型轻掺杂区以及P型掺杂区等一般均采用离子注入机植入离子，并且在进行每一道离子植入制程时，均需要使用一道光罩完成，而离子植入制程对光罩的精度要求严苛，同时存在机台调试困难，耗时长等问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，可省去沟道掺杂制程，简化制程，降低生产成本。

本发明的目的还在于提供一种TFT基板结构，沟道区在非晶硅成膜时即完成硼离子注入，无需单独进行沟道掺杂制程。

为实现上述目的，本发明提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：

步骤1、提供基板，在所述基板上沉积缓冲层；

步骤2、在所述缓冲层上沉积一非晶硅薄膜，并在所述非晶硅薄膜表面通入硼氢化合物气体，采用化学气相沉积的方法对所述非晶硅薄膜进行表面处理，使得所述非晶硅薄膜的表面掺杂硼离子；

步骤3、重复步骤2的操作数次，得到数层表面掺杂硼离子的非晶硅薄膜，所述数层表面掺杂硼离子的非晶硅薄膜叠加构成非晶硅层；

步骤4、对所述非晶硅层进行退火处理，去除非晶硅层中掺杂的氢离子，同时使得掺杂到每层非晶硅薄膜表面的硼离子均匀扩散到整个非晶硅层中，实现对整个非晶硅层的硼离子掺杂；

步骤5、使用两道光罩对所述硼离子掺杂后的非晶硅层进行两次离子注入，得到位于所述非晶硅层两侧的两个N型重掺杂区、位于所述非晶硅层中部的硼离子掺杂沟道区、及位于所述两个N型重掺杂区与硼离子掺杂沟道区之间的两个N型轻掺杂区；

步骤6、在所述非晶硅层上依次形成栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、及源、漏极。

所述基板为玻璃基板或塑料基板。

所述缓冲层为氧化硅层、氮化硅层、或氧化硅层与氮化硅层的复合层。

采用硅烷和氢气通过化学气相沉积法沉积所述非晶硅薄膜。

所述硼氢化合物气体为乙硼烷。

所述步骤3中重复步骤2操作的次数大于或等于一次。

所述步骤5采用炉管、准分子激光退火设备、或化学气相沉积加热室对所述非晶硅层进行退火处理。

所述层间绝缘层为氧化硅层、氮化硅层、或氧化硅层与氮化硅层的复合层。

本发明还提供一种TFT基板结构，包括基板、设于所述基板上的缓冲层、设于所述缓冲层上的非晶硅层、设于所述非晶硅层上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的栅极、设于所述栅极绝缘层上覆盖所述栅极的层间绝缘层、及设于所述层间绝缘层上的源极与漏极；

所述非晶硅层包括位于非晶硅层的两侧对应所述源极与漏极下方的两个N型重掺杂区、位于非晶硅层的中部对应所述栅极下方的硼离子掺杂沟道区、及位于所述两个N型重掺杂区与硼离子掺杂沟道区之间的两个N型轻掺杂区；

所述栅极绝缘层与层间绝缘层上对应所述两个N型重掺杂区的上方分别设有过孔，所述源极与漏极经由所述过孔与所述N型重掺杂区相接触。

所述缓冲层为氧化硅层、氮化硅层、或氧化硅层与氮化硅层的复合层；所述层间绝缘层为氧化硅层、氮化硅层、或氧化硅层与氮化硅层的复合层。