[发明专利]半导体设备有效
申请号: | 201510511697.3 | 申请日: | 2015-08-19 |
公开(公告)号: | CN105391316B | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 菅田章彦;野添耕二;二野宫鼓;藤冈伸也 | 申请(专利权)人: | 富士通半导体股份有限公司 |
主分类号: | H02M7/08 | 分类号: | H02M7/08 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杜诚;陈炜 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 二极管 整流电路 半导体设备 电容器 电源电压 限幅电路 寄生双极晶体管 阴极 天线连接端子 二极管导通 并联连接 参考电位 多级连接 天线接收 阈值电压 导通 钳位 | ||
1.一种半导体设备,包括:
天线,其用于发送和接收无线信号;以及
整流电路,其包括多级连接的单元整流电路,并根据所述天线接收的无线信号产生电源电压,所述天线通过天线连接端子连接到所述整流电路,每个单元整流电路包括多个电容器和多个二极管,
其中,所述整流电路包括在比所述二极管的导通电压大的电压处导通的限幅电路,所述限幅电路将所述二极管的阴极钳位在第一电压;并且
所述限幅电路和所述二极管在连接到所述天线连接端子的所述电容器和被提供所述电源电压的参考电位的节点之间并联连接,
其中,所述第一电压小于由所述整流电路的二极管构成的寄生双极晶体管的阈值电压。
2.根据权利要求1所述的半导体设备,其中,所述限幅电路是在连接到所述天线连接端子的所述电容器和被提供所述电源电压的参考电位的所述节点之间连接的二级管连接MOS晶体管。
3.根据权利要求1所述的半导体设备,其中,
所述整流电路的二极管是肖特基势垒二极管,以及
所述限幅电路是二极管连接MOS晶体管。
4.根据权利要求1至3中任一项权利要求所述的半导体设备,进一步包括:
从天线接收的无线信号中提取指令的接收电路;
执行对应于接收到的指令的处理的处理电路;
被所述处理电路访问的非易失性存储器;以及,
基于对应于所述指令的处理的结果而生成响应信号的调制电路,其中,
所述接收电路,所述处理电路,所述非易失性存储器以及所述调制电路由所述整流电路所产生的所述电源电压来驱动。
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