[发明专利]减少抛光浆料中的大颗粒计数

权利要求书

1.一种铜化学机械抛光组合物，包含：

为甘氨酸的去除率增强剂；

腐蚀抑制剂；

磨料；

其中所述去除率增强剂在去离子水中具有导电率C，并且其中所述去除率增强剂遵守以下不等式：

C≤a*W+b，

其中W是去除率增强剂按所述组合物的总重量计的重量％，其中0.0005<a<0.0025，并且其中0.0005<b<0.0025，

其中W按所述组合物的总重量计大于零且小于或等于20％，

其中所述组合物具有大颗粒计数，其中所述大颗粒计数通过每毫升所述组合物中尺寸大于0.56微米的颗粒数目来限定，

并且其中所述导电率C和所述大颗粒计数具有正相关关系，使得所述导电率越低，所述大颗粒计数越低。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述腐蚀抑制剂为唑类及其任意混合物。

3.根据权利要求1所述的组合物，其中所述腐蚀抑制剂选自苯并三唑、苯并三唑衍生物、甲苯基三唑、甲苯基三唑衍生物及其任意混合物。

4.根据权利要求1所述的组合物，其中所述磨料选自氧化铝、气相二氧化硅、胶体二氧化硅、包覆颗粒、二氧化钛、二氧化铈、氧化锆及其任意混合物。

5.根据权利要求1所述的组合物，还包含选自过氧化氢、过硫酸铵、硝酸银、硝酸铁、氯化铁、过酸、过盐、臭氧水、铁氰化钾、重铬酸钾、碘酸钾、溴酸钾、三氧化二钒、次氯酸、次氯酸钠、次氯酸钾、次氯酸钙、次氯酸镁、硝酸铁、KMnO₄、其它无机或有机过氧化物及其任意混合物的氧化剂。

6.根据权利要求1所述的组合物，还包含选自表面活性剂、杀生物剂、表面抛光剂、pH调节剂、减缺陷剂或其任意混合物的另外的成分。

7.根据权利要求1所述的组合物，其中所述去除率增强剂按所述组合物的总重量计以大于零但小于或等于20重量％的量存在。

8.根据权利要求1所述的组合物，其中所述导电率C小于0.0525每厘米毫西门子。

9.一种抛光半导体晶圆表面的方法，其使用了垫和根据权利要求1所述的组合物。