[发明专利]纳米银线的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及纳米银线的制备技术领域，尤其涉及一种纳米银线的制备方法。

背景技术

随着移动终端、可穿戴设备、智能家电等产品对触摸屏的强劲需求，以及传统ITO薄膜不能拥有可弯曲应用，导电性及透光率等本质问题不易克服等因素，众面板厂商纷纷开始研究ITO的替代品-纳米银线。纳米薄膜技术应用到某公司iWatch上得到巨大成功，显示了纳米银线产品的技术优势。这样做最大的优势在于：低成本、柔性化、大面积、高效率，同时也给纳米银线的发展和应用带来新的尝试与突破。

现有的纳米银线的制备主要是通过水热法，在高温高压釜内操作，这样的制作方式存在安全隐患、并且存在批次等问题，纳米银线的制备稳定性和均一性较差。

综上可知，现有技术在实际使用上显然存在不便与缺陷，所以有必要加以改进。

发明内容

针对上述的缺陷，本发明的目的在于提供一种纳米银线的制备方法，其可以得到均一的特定长径比的纳米银线，且方法制备简单，安全可靠，可实现快速放大和连续式生产。

为了实现上述目的，本发明提供一种纳米银线的制备方法，所述方法包括：

A、配制一定量预定浓度的具有抑制剂的水溶液；

B、配制一定浓度的PVP水溶液，在加热装置中微热使其完全溶解，然后冷却到室温；

C、配制一定量预定浓度的AgNO₃水溶液；

D、将步骤A和步骤B获取的溶液按比例泵入微流控芯片进行混合；

E、将步骤C中的溶液泵入到微流控芯片混合处理；

F、将所述微流控芯片的反应层控制温度在150～220℃，控制压力15～25bar，且停留时间为1～5分钟，收集反应产物；

G、将反应产物洗涤离心处理。

根据本发明的纳米银线的制备方法，所述步骤A中的抑制剂为FeC1₃或Na₂S或NaCl。

根据本发明的纳米银线的制备方法，所述步骤F中微流控芯片的加热温度为180℃，控制压力为20bar，停留时间为3分钟。

根据本发明的纳米银线的制备方法，所述步骤D和步骤E将包括：将混合处理的溶液在深为30～120微米，宽为60～300微米的S型通道内流动混合。

根据本发明的纳米银线的制备方法，所述微流控芯片的混合层具有一“S”型混合器，所述步骤E中的溶液通过所述“S”型混合器混合处理，所述“S”型混合器弧度半径为200～300微米，具有8条混合通道，从中心进入反应层。

根据本发明的纳米银线的制备方法，所述反应层为螺旋形通道，以圆心为出发点向外旋转。

根据本发明的纳米银线的制备方法，所述微流控芯片具有由4层玻璃构成的混合层和反应层，所述反应层的下部还设有芯片电热层。

本发明通过如下步骤实现纳米银线制作，A、配制一定量预定浓度的具有抑制剂的水溶液；B、配制一定浓度的PVP水溶液，在加热装置中微热使其完全溶解，然后冷却到室温；C、配制一定量预定浓度的AgNO₃水溶液；D、将步骤A和步骤B获取的溶液按比例泵入微流控芯片进行混合；E、将步骤C中的溶液泵入到微流控芯片混合处理；F、将所述微流控芯片的反应层控制温度在150～220℃，控制压力15～25bar，且停留时间为1～5分钟，收集反应产物；G、将反应产物洗涤离心处理。借此，本发明可以得到均一的特定长径比的纳米银线，且方法制备简单，安全可靠，可实现快速放大和连续式生产。

附图说明

图1是本发明的纳米银线的制备方法流程图；

图2是本发明的微流控芯片分解结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

参见图1，本发明提供了一种纳米银线的制备方法，其包括以下步骤：

步骤S101，配制一定量预定浓度的具有抑制剂的水溶液。

该步骤中，所述的抑制剂可以为FeC1₃或Na₂S或NaCl中的一种。

步骤S102，配制一定浓度的PVP水溶液，在加热装置中微热使其完全溶解，然后冷却到室温。

本发明中的PVP为聚乙烯吡咯烷酮(Polyvinylpyrrolidone)，其在本实施例中的作用为充当表面修饰剂。