[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一鳍片，为沿第一方向延伸的长方体状；

第二鳍片，与所述第一鳍片分离配置，且为沿所述第一方向延伸的长方体状；

栅电极，隔着栅极绝缘膜配置在所述第一鳍片和所述第二鳍片上，沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸；

第一晶体管的第一电极，形成在位于所述栅电极的一侧的第一鳍片中；

所述第一晶体管的第二电极，形成在位于所述栅电极的另一侧的第一鳍片中；

第二晶体管的第一电极，形成在位于所述栅电极的一侧的第二鳍片中；

所述第二晶体管的第二电极，形成在位于所述栅电极的另一侧的第二鳍片中；

第一局部布线，将所述第一晶体管的所述第一电极和所述第二晶体管的所述第一电极连接；

虚设栅极，该虚设栅极与所述栅电极分离配置，沿所述第二方向延伸；和

第二局部布线，其沿所述第二方向延伸，且与所述第一晶体管的所述第二电极连接，

所述第一局部布线由埋入层间绝缘膜中的导电性膜构成，所述层间绝缘膜将所述栅电极覆盖，

所述第一局部布线包括：

第一部，沿所述第一方向延伸、且与所述第一晶体管的所述第一电极电连接；

第二部，沿所述第一方向延伸、且与所述第二晶体管的所述第一电极电连接；和

第三部，沿所述第二方向延伸、且将所述第一部与所述第二部之间连接，

所述虚设栅极配置在所述第一部及所述第二部的下方，

所述第二局部布线与被施加电源电位的布线连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述半导体器件包括形成于所述层间绝缘膜的上方的第一布线，

所述第一局部布线与所述第一布线相比位于下层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一局部布线包括：

第四部，沿所述第二方向延伸，且连接于所述第一晶体管的所述第一电极与所述第一部之间；和

第五部，沿所述第二方向延伸，且连接于所述第二晶体管的所述第一电极与所述第二部之间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述半导体器件包括：

第一栅格，作为所述栅电极与所述虚设栅极之间的区域；第二栅格，作为位于所述虚设栅极的同所述栅电极相反一侧的区域，

所述第三部配置于所述第二栅格。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述半导体器件具有第三局部布线，其沿所述第二方向延伸，且与所述第二晶体管的所述第二电极连接，

所述第三局部布线与被施加基准电位的布线连接。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述栅电极、形成于所述第一鳍片中的所述第一晶体管的所述第一电极及所述第一晶体管的所述第二电极构成所述第一晶体管，

所述栅电极、形成于所述第二鳍片中的所述第二晶体管的所述第一电极及所述第二晶体管的所述第二电极构成所述第二晶体管。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，

所述第一晶体管和所述第二晶体管构成反相器。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，

所述反相器的输入部是所述栅电极，输出部是所述第三部。

9.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述第一鳍片及所述第二鳍片配置于第一栅格，在所述虚设栅极的下方没有配置。

10.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述第一鳍片及所述第二鳍片以延伸到所述虚设栅极的下方的方式配置，在所述第二栅格没有配置。

11.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述第一鳍片及所述第二鳍片穿过所述虚设栅极的下方也配置在所述第二栅格。