[发明专利]等离子体源和用等离子体增强的化学气相沉积来沉积薄膜涂层的方法

权利要求书

1.一种包括基板和沉积在基板上的涂层的产品，其中利用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)方法形成涂层，该方法包括以下步骤：

a)在基本上没有霍尔电流的情况下提供线性的在其长度上基本均匀的等离子体；

b)靠近等离子体提供前驱气体和反应气体；

c)提供基板，其中待涂布的基板的至少一个表面靠近等离子体；

d)激励、部分地分解或完全分解前驱气体；以及

e)利用PECVD在基板的至少一个表面上沉积涂层；

其中，沉积的步骤包括粘结或凝结包含用于涂布在基板的至少一个表面上的期望的化学元素的前驱气体的化学片断。

2.根据权利要求1所述的产品，其特征在于，所述涂层包括多个层。

3.根据权利要求1所述的产品，其特征在于，涂层是电介质涂层、透明导电涂层、半导电涂层和日照控制涂层中的一种。

4.根据权利要求3所述的产品，其特征在于，涂层是包括硅的半导电涂层。

5.根据权利要求1所述的产品，其特征在于，涂层包括除过渡金属以外的金属、过渡金属或它们的组合。

6.根据权利要求1所述的产品，其特征在于，涂层包括硼、碳、硅、锗或它们的组合。

7.根据权利要求1所述的产品，其特征在于，涂层包括氧化物、氮化物或氧氮化物。

8.根据权利要求7所述的产品，其特征在于，涂层包括硅、钛和锡的氧化物之一。

9.一种包括基板和沉积在基板上的涂层的产品，其中利用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)方法形成涂层，该方法包括以下步骤：

a)在基本上没有霍尔电流的情况下提供二维的在二维上基本均匀的等离子体；

b)靠近等离子体提供前驱气体和反应气体；

c)提供基板，其中待涂布的基板的至少一个表面靠近等离子体；

d)激励、部分地分解或完全分解前驱气体；以及

e)利用PECVD在基板的至少一个表面上沉积涂层；

其中，沉积的步骤包括粘结或凝结包含用于涂布在基板的至少一个表面上的期望的化学元素的前驱气体的化学片断。

10.根据权利要求9所述的产品，其特征在于，涂层包括多个层。

11.根据权利要求9所述的产品，其特征在于，涂层是电介质涂层、透明导电涂层、半导电涂层和日照控制涂层之一。

12.根据权利要求11所述的产品，其特征在于，涂层是包括硅的半导电涂层。

13.根据权利要求9所述的产品，其特征在于，涂层包括除过渡金属以外的金属、过渡金属或它们的组合。

14.根据权利要求9所述的产品，其特征在于，涂层包括硼、碳、硅、锗或它们的组合。

15.根据权利要求9所述的产品，其特征在于，涂层包括氧化物、氮化物或氧氮化物。

16.根据权利要求15所述的产品，其特征在于，涂层包括硅、钛和锡的氧化物之一。