[发明专利]一种透明导电薄膜及其制备方法

说明书

本发明一种透明导电薄膜，包括基底，在基底上沉积的透明导电薄膜，以及沉积在导电薄膜之间的缓冲层薄膜；所述的缓冲层薄膜至少沉积有一层。一种透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤，步骤1，在经过预处理的基底上沉积第一层透明导电薄膜层；步骤2，然后沉积一层厚度不超过100纳米的缓冲层薄膜；步骤3，在缓冲层薄膜上沉积一层透明导电薄膜层；步骤4，重复步骤2和3达到需要的缓冲层薄膜层数，制备得到透明导电薄膜。本发明通过沉积多层的透明导电薄膜层，并在相邻的透明导电薄膜层之间分别添加缓冲层薄膜以制备透明导电薄膜，利用缓冲层薄膜的廉价制备低价的透明导电薄膜。不仅提高其电学性能和光学性能，而且成本低。

技术领域

本发明涉及导电薄膜材料，具体为一种透明导电薄膜及其制备方法。

背景技术

随着科学技术的发展和人民生活水平的不断提高，高分辨率，大尺寸平面显示器，太阳能电池，节能红外反射膜，电致变色窗等广泛应用，对透明导电薄膜的需求愈来愈大。而且人们对透明导电薄膜的要求也越来越高，透明导电薄膜不但要求好的导电性，还要有优良的可见光透光性。从物理学的角度，物质的透光性和导电性是一对基本矛盾。然而现在主流的透明导电薄膜以ITO为主，但是ITO价格偏贵，而且现有单层的透明导电薄膜的导电性和透光性的变化及提高都很有限，无法进行灵活调节，如何制备价格便宜，好的导电性和优良的可见光透光性的透明导电薄膜成为了关键。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种成本低，导电性好，透光性优良的透明导电薄膜及其制备方法。

本发明是通过以下技术方案来实现：

一种透明导电薄膜，包括基底，在基底上沉积的透明导电薄膜，以及沉积在导电薄膜之间的缓冲层薄膜；所述的缓冲层薄膜至少沉积有一层。

优选的，每层缓冲层薄膜的厚度不大于100纳米。

进一步，每层缓冲层薄膜的厚度为0～30纳米。

优选的，每层缓冲层薄膜的材料采用纳米金属薄膜、纳米金属网和纳米金属线中的一种。

优选的，每层透明导电薄膜层的厚度为10～2000纳米。

优选的，还包括沉积在基地和透明导电薄膜层之间的预制层。

一种透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤，

步骤1，在经过预处理的基底上沉积第一层透明导电薄膜层；

步骤2，然后沉积一层厚度不超过100纳米的缓冲层薄膜；

步骤3，在缓冲层薄膜上沉积一层透明导电薄膜层；

步骤4，重复步骤2和3达到需要的缓冲层薄膜层数，制备得到透明导电薄膜。

优选的，步骤1中沉积第一层透明导电薄膜层时的温度为200-500℃；步骤2中沉积缓冲层薄膜和步骤3中沉积其余透明导电薄膜层时的温度为20-300℃。

优选的，基底采用刚性基底或柔性基底。

进一步，透明导电薄膜层采用掺杂的氧化铟、掺杂的氧化锡、掺杂的氧化锌、碳纳米管薄膜、石墨烯薄膜中的一种或多种的混合物，或者金属合金薄膜。

进一步，缓冲层薄膜采用导电性能高于透明导电薄膜层的金属、氧化物或合金中的一种。

优选的，步骤1中，预处理包括对基地的表面处理，并且步骤1中还包括在基底上沉积预制层的步骤，在预制层上沉积第一层透明导电薄膜层。

进一步，表面处理采用等离子体表面处理，气氛为氢气、氮气、氦气、氖气、氩气或混合气体。

与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：