[发明专利]用于电导率评估的磁耦合

权利要求书

1.一种用于复合材料结构的无损检测的系统(100)，其包括：

发射线圈(102)和接收线圈(104)，所述发射线圈(102)和所述接收线圈(104)被配置为接收在它们之间的被测的复合材料结构即SUT(106)；

信号发生器(108)，其被配置为利用在多个频率上的射频信号即RF信号驱动所述发射线圈(102)，所述RF信号的形式为穿过所述发射线圈的电流，所述电流使所述发射线圈产生通过穿过所述SUT(106)的磁耦合在所述接收线圈(104)中感应电压的磁场；

耦合到所述发射线圈(102)和所述接收线圈(104)的接收器对(110，112)和信号处理电路，并且所述接收器对(110，112)和所述信号处理电路被配置为测量在所述接收线圈(104)中的电压，并且从所述电压产生所述多个频率上的所述RF信号的衰减的测量值，所述衰减由所述发射线圈(102)和所述接收线圈(104)之间的所述SUT(106)引起；以及

分析系统(122)，其耦合到所述信号处理电路并且被配置为根据所述衰减的测量值计算所述SUT(106)的有效电导率，其中所述有效电导率在全局坐标系的各个正交轴上具有分量，并且所述分析系统(122)被配置为计算所述有效电导率包括被配置为具体计算一个或多个所述分量，

其中所述发射线圈(102)和接收线圈(104)形成布置并包括第一布置和第二布置，在所述第一布置中，所述发射线圈(102)和接收线圈(104)具有第一直径，在所述第二布置中，所述发射线圈(102)和接收线圈(104)具有不同的第二直径，

其中，所述信号发生器(108)被配置为分别驱动所述第一布置和第二布置的发射线圈(102)，以及所述接收器对(110，112)和信号处理电路被配置为分别产生针对所述第一布置的所述RF信号的衰减的第一测量值和针对所述第二布置的所述RF信号的衰减的第二测量值，以及

其中所述分析系统(122)被配置为具体计算一个或多个所述分量包括被配置为根据衰减的所述第一测量值和衰减的所述第二测量值具体计算一个或多个所述分量。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述SUT(106)具有平行于所述发射线圈(102)和所述接收线圈(104)的相对主表面，并且所述有效电导率的分量包括平行于所述SUT(106)的主表面的第一分量，以及

其中所述分析系统(122)被配置为具体计算一个或多个所述分量包括被配置为具体计算所述第一分量。

3.根据权利要求2所述的系统，其中所述分析系统(122)被配置为具体计算一个或多个所述分量包括被配置为根据包括所述发射线圈(102)和所述接收线圈(104)以及在它们之间接收的SUT(106)的布置的有限元模型执行有限元分析。

4.根据权利要求2所述的系统，其中所述SUT(106)具有平行于局部坐标系的主轴取向的嵌入纤维，以及

其中所述分析系统(122)被配置为具体计算一个或多个所述分量包括被配置为进一步根据所述局部坐标系的主轴偏离所述全局坐标系的各个正交轴中的相应一个的任何角偏移来具体计算一个或多个所述分量；以及

其中所述SUT(106)是多层结构，所述多层结构包括具有平行于第一局部坐标系的第一主轴取向的嵌入纤维的第一层，以及具有平行于第二局部坐标系的第二主轴取向的嵌入纤维的第二层，以及

其中所述分析系统(122)被配置为具体计算一个或多个所述分量包括被配置为进一步根据所述第一局部坐标系的第一主轴和所述第二局部坐标系的第二主轴中的每一个偏离所述全局坐标系的各个正交轴中的相应一个的任何角偏移来具体计算一个或多个所述分量。

5.根据权利要求2所述的系统，其中所述分析系统(122)被配置为具体计算一个或多个所述分量包括被配置为根据所述第一布置和第二布置的有限元模型执行有限元分析，所述第一布置和所述第二布置中的每个具有在它们之间接收的所述SUT(106)。