[发明专利]回收光化学材料以降低成本和环境影响的涂覆晶圆的装置及方法有效
| 申请号: | 201510501055.5 | 申请日: | 2015-08-14 |
| 公开(公告)号: | CN105405789B | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
| 发明(设计)人: | 吴文杰;顾一鸣 | 申请(专利权)人: | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/312;B05C11/10 |
| 代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
| 地址: | 美国加利福尼亚州940*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 回收 光化学 材料 降低成本 环境 影响 涂覆晶圆 装置 方法 | ||
1.一种用于在涂覆腔中涂覆半导体晶圆的装置,由一个放置半导体晶圆的涂覆平台构成,其特征在于,所述装置包括:一个收集和回收设备,所述收集和回收设备包括一个可控制在所述涂覆平台下方及周围移动的环,用于接收和收集在所述半导体晶圆涂覆过程中从所述半导体晶圆上甩下的涂覆材料;
所述收集和回收设备还包括一第二轴,所述环位于所述第二轴上,所述第二轴用于在涂覆过程中升高所述环,以使所述环在涂覆过程中包围所述涂覆平台。
2.根据权利要求1所述的涂覆半导体晶圆的装置,其特征在于,所述装置还包括:一个喷嘴,用于在所述涂覆平台上的所述半导体晶圆的顶面上喷涂所述涂覆材料。
3.根据权利要求1所述的涂覆半导体晶圆的装置,其特征在于,所述收集和回收设备还包括:一个回收系统和一个排放系统,所述回收系统连接到位于所述收集和回收设备两个不同边上的所述环上。
4.根据权利要求1所述的涂覆半导体晶圆的装置,其特征在于,所述装置还包括:一个驱动装置,用于在涂覆所述半导体晶圆过程中,驱动和旋转所述涂覆平台。
5.根据权利要求1所述的涂覆半导体晶圆的装置,其特征在于,所述收集和回收设备还包括:一个控制臂,用于控制和移动所述环到不同位置。
6.根据权利要求3所述的涂覆半导体晶圆的装置,其特征在于,所述收集和回收设备还包括:一个第一导管,通过过滤器连接到第一导管第一末端上的所述回收系统,并且连接到在第一导管第一末端对面的第二末端上的回收容器,以便使所述涂覆材料通过所述第一导管和所述过滤器,从所述回收系统流至所述回收容器中。
7.根据权利要求6所述的涂覆半导体晶圆的装置,其特征在于,所述收集和回收设备还包括:一个第二导管,通过泵连接在所述回收容器和喷嘴之间,用于将过滤后的所述涂覆材料从所述回收容器泵浦至所述喷嘴。
8.根据权利要求3所述的涂覆半导体晶圆的装置,其特征在于,所述排放系统还包括:一个连接到漏极容器的第三导管,用于将处理后的所述涂覆材料和清洁溶剂排出涂覆腔。
9.根据权利要求3所述的涂覆半导体晶圆的装置,其特征在于,所述收集和回收设备还包括:一个可控的双向阀,用于控制和选择打开所述回收系统或所述排放系统。
10.一种通过在半导体衬底表面上涂覆光化学材料,在半导体衬底上制备器件的方法,其特征在于,所述方法包括:在涂覆过程中,将半导体衬底表面甩下的光化学材料收集到回收容器中,在进一步处理光化学材料之前,作为可回收利用的未处理的光化学材料;
所述方法基于一种用于在涂覆腔中涂覆半导体衬底的装置,由一个放置所述半导体衬底的涂覆平台构成,所述装置包括:一个收集和回收设备,所述收集和回收设备包括一个可控制在所述涂覆平台下方及周围移动的环,用于接收和收集在半导体衬底涂覆过程中从半导体衬底上甩下的可回收利用的所述未处理的光化学材料;
所述收集和回收设备还包括一第二轴,所述环位于所述第二轴上,所述第二轴用于在涂覆过程中升高所述环,以使所述环在涂覆过程中包围所述涂覆平台。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述方法中:通过旋转带有第一轴的涂覆平台,涂覆半导体衬底。
12.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述方法中:将可回收利用的所述未处理的光化学材料收集到所述回收容器中,还包括将带有过滤器的第一导管连接到所述环上,以便在涂覆过程中将甩下的可回收利用的所述未处理的光化学材料传导并过滤到所述回收容器中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





