[发明专利]白光QLED器件及制备方法

权利要求书

1.一种白光QLED器件，包括基板、短波长QLED器件和薄膜封装层，其特征在于，还包括光取出层，且所述短波长QLED器件层叠设置在所述基板的一表面，所述薄膜封装层层叠设置在所述短波长QLED器件上，所述光取出层设置在所述基板与所述短波长QLED器件层叠设置面的相对面上，其中，所述光取出层中含有光致发光量子点和聚合物。

2.如权利要求1所述的白光QLED器件，其特征在于，所述光取出层为微透镜阵列结构。

3.如权利要求1所述的白光QLED器件，其特征在于，所述光取出层的厚度为3-20μm。

4.如权利要求1-3任一所述的白光QLED器件，其特征在于，以所述光取出层的总质量为100％计，所述量子点的质量百分含量为5-50％。

5.如权利要求1-3任一所述的白光QLED器件，其特征在于，所述光致发光量子点为蓝光量子点、青光量子点、绿光量子点、黄光量子点和红光量子点中的至少两种。

6.如权利要求1-3任一所述的白光QLED器件，其特征在于，所述聚合物为聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚二甲基硅氧烷中的至少一种。

7.如权利要求1-3任一所述的白光QLED器件，其特征在于，所述短波长QLED器件为蓝光QLED或紫光QLED。

8.如权利要求1-3所述的白光QLED器件，其特征在于，所述短波长QLED器件包括透明电极、空穴传输层、发光层、电子传输层和反射阴极。

9.一种白光QLED器件的制备方法，包括以下步骤：

提供一基板，在所述基板的一表面上依次制备短波长QLED器件和薄膜封装层；

在所述基板与所述短波长QLED器件层叠设置面的相对面上沉积含有光致发光量子点和聚合物的光取出材料，对所述光取出材料依次进行热处理、成型和热固化处理，制备光取出层。

10.如权利要求9所述的白光QLED器件的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度为60-100℃，时间为20-60min。

11.如权利要求9所述的白光QLED器件的制备方法，其特征在于，所述成型处理采用压印成型实现。

12.如权利要求9-11任一所述的白光QLED器件的制备方法，其特征在于，所述热固化处理的温度为120-200℃，时间为20-60min。