[发明专利]显示面板及其制造方法、显示装置及其控制方法有效
申请号: | 201510498377.9 | 申请日: | 2015-08-13 |
公开(公告)号: | CN105070738B | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 宋松;永山和由 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;G09G3/32;G09F9/33 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示面板 传感单元 柔性显示装置 衬底基板 生产效率 显示装置 掩膜 制造 检测 | ||
本发明实施例公开了一种显示面板及其制造方法、柔性显示装置及其控制方法,能够降少掩膜工序,从而提高生产效率并降低成本。本发明的显示面板,包括:显示单元和用以检测所述显示单元亮度的传感单元,所述传感单元与所述显示单元同步形成在同一衬底基板的不同区域。
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置及其控制方法。
背景技术
有机发光(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示屏由于同时具备自发光、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、具有可挠曲性、使用温度范围广、构造及制程简单等优异特性,被认为是下一代平面显示器的新兴技术。但随着OLED显示屏使用时间增长,OLED材料发光亮度衰减及工艺不稳定等原因,OLED显示屏会逐渐出现亮度不均匀问题。
目前,传统的具有亮度补偿功能的OLED显示屏如图1所示,传感器件2设置于发光器件1的下方;其中,发光器件1的下电极4带有孔或采用完全透明的材料,以方便发光材料发出的光被下侧的传感器件2所检验到,传感器件2将检验到光感特性通过薄膜晶体管3输出。采用此种结构,会因传感器件2的引进导致层结构变多,制造时必须使用更多的掩膜工序;同时,由于发光器件1的下电极4必需使用带有孔或透明的材料,不能形成完全的反射,降低了出光效率。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示面板及其制造方法、显示装置及其控制方法,无需额外增加工艺即可形成用以亮度检测、调节的传感器件,提高了生产效率并降低了成本。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本实施例还提供一种显示面板,包括:显示单元和用以检测所述显示单元亮度的传感单元,所述传感单元与所述显示单元同步形成在同一衬底基板的不同区域。
优选地,所述衬底基板为柔性基板,且通过一折弯线分隔成显示区域和与所述显示区域相邻的传感区域,所述显示单元位于所述显示区域内,所述传感单元位于所述传感区域内,所述传感单元与所述显示单元关于所述折弯线对称。
可选地,所述显示单元包括有机发光二极管和第一薄膜晶体管,所述传感单元包括感光二极管。
可选地,所述有机发光二极管设置于位于第一薄膜晶体管的上方;所述感光二极管的第一电极与所述第一薄膜晶体管的源漏金属层或者栅金属层同层设置,所述感光二极管的感光层与所述第一薄膜晶体管的有源层同层设置,所述感光二极管的第二电极与所述有机发光二极管远离所述衬底基板的上电极同层设置。
可选地,所述传感单元还包括控制所述感光二极管信号输出的第二薄膜晶体管;所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管同步形成。
优选地,有机发光二极管靠近所述衬底基板的下电极采用反光材料制成。
可选地,所述传感单元与所述显示单元共用同一根栅线控制。
可选地,所述传感区域位于所述显示区域的一侧且与所述显示区域等大,或者,所述传感区域分别位于所述显示区域两侧。
可选地,所述显示区域包括多个显示分区,所述传感区域设置有与所述显示分区一一对应的传感分区,每一传感分区内设置有至少一个传感单元。
本实施例还提供一种显示面板的制造方法,包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板的显示区域内形成显示单元,在同一衬底基板上且与所述显示区域相邻的传感区域内同步形成传感单元。
优选地,所述衬底基板为柔性基板,所述显示区域和所述传感区域通过一折弯线分隔,所述传感单元与所述显示单元关于折弯线对称。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的