[发明专利]包覆金膜的硅纳米锥阵列及其制备方法和用途

权利要求书

1.一种包覆金膜的硅纳米锥阵列，包括置于硅衬底上的二维有序纳米硅阵列，其特征在于：

所述二维有序纳米硅阵列为硅纳米锥有序阵列，所述硅纳米锥有序阵列的表面覆有金膜；

所述组成硅纳米锥有序阵列的硅纳米锥的锥底直径为180～220nm、锥高为450～550nm、锥周期为250～350nm；

所述金膜的厚度为15～25nm。

2.根据权利要求1所述的包覆金膜的硅纳米锥阵列，其特征是硅衬底为其晶面为(100)的单晶硅片。

3.一种权利要求1所述包覆金膜的硅纳米锥阵列的制备方法，包括单层胶体晶体模板的制作，其特征在于完成步骤如下：

步骤1，先通过气-液界面自组装技术将球直径为250～350nm的聚苯乙烯胶体球于硅衬底上合成单层胶体晶体模板，再将其上合成有单层胶体晶体模板的硅衬底置于流量为30～40cm³/min、压力为3～3.4Pa的六氟化硫气氛中等离子体刻蚀3～4min，得到其上置有硅纳米锥有序阵列的硅衬底；

步骤2，使用离子束溅射沉积技术或热蒸发沉积技术，于其上置有硅纳米锥有序阵列的硅衬底上沉积金膜，制得包覆金膜的硅纳米锥阵列。

4.根据权利要求3所述的包覆金膜的硅纳米锥阵列的制备方法，其特征是硅衬底为其晶面为(100)的单晶硅片。

5.根据权利要求3所述的包覆金膜的硅纳米锥阵列的制备方法，其特征是等离子体刻蚀的功率为180～220W。

6.根据权利要求3所述的包覆金膜的硅纳米锥阵列的制备方法，其特征是离子束溅射沉积金膜时的沉积电流为18～22mA、时间为3～5min。

7.一种权利要求1所述包覆金膜的硅纳米锥阵列的用途，其特征在于：

将包覆金膜的硅纳米锥阵列作为表面增强拉曼散射的活性基底，使用激光拉曼光谱仪测量其上附着的盐酸克伦特罗的含量。

8.根据权利要求7所述的包覆金膜的硅纳米锥阵列的用途，其特征是激光拉曼光谱仪的激发波长为532nm或785nm、输出功率为4～6mW、积分时间为8～12s。