[发明专利]一种TEM样品制备方法

权利要求书

1.一种TEM样品制备方法，其特征在于，将样品处理成至少有三个表面与所述样品内部的目标块的距离为1μm～5μm，所述表面中至少有一对相互平行的表面，任选一对所述相互平行的表面，分别为第一表面和第二表面，将聚焦离子束以与所述第一表面相交的方向入射轰击所述第一表面和所述第二表面，使得所述第一表面和所述第二表面上有横截面为平行四边形的凹陷出现，并在所述凹陷的底部有所述目标块露出。

2.如权利要求1所述的TEM样品制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：对包含所述目标块的样品进行处理，使所述目标块与一个所述表面的距离为1μm～5μm；

步骤二：将步骤一形成的所述表面水平放置，使用所述聚焦离子束以竖直向下的方向轰击步骤一形成的所述表面，使得所述样品上形成所述第一表面和所述第二表面；

步骤三：将所述聚焦离子束以与所述第一表面相交的方向入射轰击所述第一表面和所述第二表面，使得所述第一表面和所述第二表面上出现所述凹陷，并在所有所述凹陷底部有所述目标块露出；

步骤四：去除所述样品中未被处理的部分，形成包含所述目标块的样品片。

3.如权利要求2所述的TEM样品制备方法，其特征在于，步骤一中所述处理是指对所述样品进行切割或者裂片或者研磨。

4.如权利要求2所述的TEM样品制备方法，其特征在于，步骤三中与所述第一表面相交的方向为与所述第一表面形成30°～45°或者120°～135°的方向。

5.如权利要求2所述的TEM样品制备方法，其特征在于，步骤三中以与所述第一表面相交的方向为与所述第一表面垂直的方向，则所述凹陷横截面形状为矩形。

6.如权利要求2所述的TEM样品制备方法，其特征在于，步骤三中使用离子枪发射所述聚焦离子束，在调整所述聚焦离子束的发射方向后，还需要将发射所述聚焦离子束的发射电流强度减小为80pA。

7.如权利要求2所述的TEM样品制备方法，其特征在于，步骤四中去除所述样品中未处理的部分的方法为切割。

8.如权利要求1所述的TEM样品制备方法，其特征在于，所述的样品为裸芯片或者已封装芯片。