[发明专利]一种闪存器件的制造方法

权利要求书

1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面上形成有位于半导体衬底共源区上的源线以及位于所述源线两侧的浮栅组，所述浮栅组包括浮栅、隔离浮栅与半导体衬底的栅氧化层、隔离浮栅与源线的浮栅侧墙；

在所述半导体衬底、源线和浮栅组表面上依次形成字线多晶硅层以及字线保护层；

采用字线多晶硅层与字线保护层的刻蚀比大于6的破层刻蚀工艺来部分刻蚀所述字线保护层，以暴露出源线上方和浮栅组外侧的半导体衬底上方的字线多晶硅层，并在字线多晶硅层侧面形成尖角结构；

采用多晶硅刻蚀工艺刻蚀暴露出来的字线多晶硅层和剩余的字线保护层，以形成字线；

采用偏置射频功率为0的各向同性刻蚀工艺对所述尖角结构进行修整，以移除尖角结构高出字线多晶硅层上表面的部分。

2.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所破层刻蚀工艺中，字线多晶硅层与字线保护层的刻蚀比为6～8。

3.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述破层刻蚀工艺的参数包括：CF₄流量为50sccm～100sccm，Cl₂流量为5sccm～25sccm，源射频功率为500W～1000W，偏置射频功率为30W～100W，工作压强为3mtorr～8mtorr。

4.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述多晶硅刻蚀工艺的参数包括：源射频功率为200W～600W，偏置射频功率为80W～150W，刻蚀气压范围为3mtorr～8mtorr，刻蚀气体包括Cl₂、HBr、He和O₂，Cl₂的流量为30sccm～80sccm，HBr流量为50sccm～100sccm，He、O₂混合气体流量为3sccm～10sccm。

5.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述偏置射频功率为0的各向同性刻蚀工艺的参数包括：CF₄流量为50sccm～100sccm，O₂流量为5sccm～15sccm，Ar流量为100sccm～200sccm，源射频功率为800W～1500W，偏置射频功率为0W，工作压强为15mtorr～25mtorr。

6.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，对所述尖角结构进行修整之后，通过热氧化工艺在源线表面形成氧化层，以源线或源线表面的氧化层为刻蚀停止层，对所述字线多晶硅层进行过刻蚀，以完全去除源线上方残留的字线多晶硅层，并调整字线宽度，圆滑化字线顶部。

7.如权利要求6所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述过刻蚀包含两步：第一步过刻蚀去除字线位置外侧和源线上方多余的字线多晶硅层，第二步过刻蚀圆滑化字线上表面以及调整字线宽度。

8.如权利要求7所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述第一步过刻蚀的工艺参数包括：Cl₂流量为50sccm～150sccm，O₂流量为5sccm～15sccm,源射频功率为300W～800W，偏置射频功率为100W～150W，工作压强为3mtorr～8mtorr。

9.如权利要求8所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述第二步过刻蚀的工艺参数包括：源射频功率为300W～800W，偏置射频功率为100W～200W，刻蚀气压范围为30mtorr～80mtorr，刻蚀气体包括HBr、He和O₂，HBr流量为100sccm～200sccm，He、O₂混合气体流量分别为3sccm～10sccm。

10.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，在所述半导体衬底表面上形成位于半导体衬底共源区上的源线以及位于所述源线两侧的浮栅组的步骤包括：

在半导体衬底表面上依次形成栅氧化层、浮栅层、层间介质层；

光刻并刻蚀层间介质层和浮栅层，刻蚀停止在浮栅层中，形成第一侧墙开口；

在第一侧墙开口的侧壁上形成第一侧墙；

去除第一侧墙开口底部未被第一侧墙覆盖的浮栅层和栅氧化层，以形成与第一侧墙开口贯通的第二侧墙开口；

在第二侧墙开口的侧壁表面形成第二侧墙，所述第一侧墙和第二侧墙构成所述浮栅侧墙；

在浮栅侧墙的开口内形成源线。