[发明专利]存储系统及其操作方法有效
| 申请号: | 201510490213.1 | 申请日: | 2015-08-11 |
| 公开(公告)号: | CN105719703B | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
| 发明(设计)人: | 崔海起 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号: | G11C29/44 | 分类号: | G11C29/44;G11C16/08;G06F12/02 |
| 代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;毋二省 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 存储系统 及其 操作方法 | ||
1.一种存储系统,包括:
存储器件,包括多个存储块,每个存储块包括多个页,其中,所述多个页分别电耦接至多个字线,每个页包括电耦接至所述多个字线中的相应字线的多个存储单元,储存写入数据,并且提供从主机请求的读取数据;以及
控制器,在所述存储块的第一存储块中的多个页之中查验坏页,将虚设数据编程在所述坏页中,以及将所述第一存储块作为正常块处理,
其中,所述控制器将所述第一存储块中的所述多个页之中的电耦接至坏字线的第一页以及电耦接至邻近于所述坏字线的字线的第二页确定为坏页,
其中,所述多个字线包括第一字线至第L字线,其中,所述坏字线对应于第K字线,邻近于所述坏字线的字线对应于第K-1字线和第K+1字线,以及第K-2字线和第K+2字线是好字线,其中K大于或等于1且小于或等于L。
2.根据权利要求1所述的存储系统,其中,所述控制器将所述多个字线之中的与所述坏页相对应的字线确定为坏字线。
3.根据权利要求1所述的存储系统,其中,所述控制器在所述第一存储块的所述多个页之中查验能供用数据进行编程的正常页,以及将曾要被编程在所述第一存储块的坏页中的第一数据编程在所述第一存储块的所述正常页中。
4.根据权利要求3所述的存储系统,其中,将所述第一数据编程在正常页中之后,所述控制器将所述虚设数据编程在坏页中。
5.根据权利要求1所述的存储系统,其中,所述控制器在包括在邻近于所述第一存储块的第二存储块中的多个页之中查验能供用数据进行编程的正常页,以及将曾要被编程在所述第一存储块的坏页中的第一数据编程在所述第二存储块的正常页中。
6.根据权利要求5所述的存储系统,其中,在将所述第一数据编程在正常页中之后,所述控制器将所述虚设数据编程在坏页中。
7.根据权利要求1所述的存储系统,其中,当坏页的数量或与所述坏页相对应的字线的数量超过预设阈值时,所述控制器将所述第一存储块作为坏块处理。
8.一种操作存储系统的方法,包括:
在存储器件的多个存储块的每个中的多个页之中查验坏页,其中,所述多个页分别电耦接至多个字线,每个页包括电耦接至所述多个字线中的相应字线的多个存储单元;
在所述存储块之中的第一存储块中所包括的多个页之中查验能供用数据进行编程的正常页;
将要被编程在所述第一存储块的坏页中的第一数据编程在所述第一存储块的正常页中;以及
将虚设数据编程在所述第一存储块的坏页中,以及将所述第一存储块作为正常块处理,
其中,查验坏页包括:在每个存储块中的所述多个页之中查验电耦接至坏字线的第一页以及电耦接至邻近于所述坏字线的字线的第二页,作为坏页,
其中,所述多个字线包括第一字线至第L字线,其中,所述坏字线对应于第K字线,邻近于所述坏字线的字线对应于第K-1字线和第K+1字线,以及第K-2字线和第K+2字线是好字线,其中K大于或等于1且小于或等于L。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,查验坏页包括:
在所述多个字线之中查验与所述坏页相对应的字线,作为坏字线。
10.根据权利要求8所述的方法,还包括:
当坏页的数量或与所述坏页相对应的字线的数量超过预设阈值时,将所述第一存储块作为坏块处理。
11.根据权利要求8所述的方法,还包括:
将要被编程在第二存储块的坏页中的第二数据编程在所述第一存储块的正常页中,所述第二存储块邻近于所述第一存储块;以及
将所述虚设数据编程在所述第二存储块的坏页中,以及将所述第二存储块作为正常块处理。
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