[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一源极层；

第一绝缘层，位于第一源极层之上；

第一堆叠结构，位于第一绝缘层之上；

第一沟道层，穿过第一堆叠结构和第一绝缘层；以及

第二源极层，包括设置在第一源极层和第一绝缘层之间的第一区域以及设置在第一沟道层和第一绝缘层之间的第二区域。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：存储层，设置在第一沟道层和第一堆叠结构之间。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一堆叠结构包括彼此交替堆叠的第二绝缘层和栅电极。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一狭缝绝缘层，穿过第一堆叠结构的下部，沿一个方向延伸，并且位于接触区域中；以及

第二狭缝绝缘层，穿过第一堆叠结构，耦合到第一狭缝绝缘层以沿一个方向延伸，并且位于单元区域中。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第三绝缘层，穿过第一源极层和第一绝缘层，并且位于接触区域中；以及

第三狭缝绝缘层，穿过第一堆叠结构，并且位于第三绝缘层之上。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二堆叠结构，位于第一堆叠结构之上；

第二沟道层，穿过第二堆叠结构；以及

耦合图案，围绕第二沟道层的下部，并且将第一沟道层和第二沟道层彼此耦合。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一源极层是在基板中的掺杂有杂质的区域。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第二源极层的第一区域直接接触第一源极层，第二源极层的第二区域直接接触第一沟道层。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第二源极层包括硅层或硅化物层。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第二源极层的第二区域直接接触第一沟道层，并且具有均匀的高度。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第二源极层的第一区域直接接触第一源极层，并且具有均匀的高度。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第二源极层的第一区域直接接触第二源极层的第二区域。

13.一种半导体器件，包括：

第一源极层；

第一绝缘层，形成在第一源极层之上；

第一堆叠结构，形成在第一绝缘层之上；

第一沟道层，穿过第一堆叠结构；

间隙充填绝缘层，形成在第一沟道层中，并且穿过第一绝缘层；

第二源极层，包括设置在间隙填充绝缘层和第一绝缘层之间的第一区域；以及

存储层，设置在第一沟道层和第一堆叠结构之间并使第二源极层暴露，

其中，第二源极层接触第一绝缘层。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，第二源极层包括设置在第一源极层和第一绝缘层之间的第二区域。

15.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，第二源极层的第一区域直接接触第一源极层和第一沟道层。

16.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，第二源极层包括硅化物层。