[发明专利]CMOS图像传感器结构及形成方法

权利要求书

1.一种以绝缘体上硅为衬底材料的CMOS图像传感器结构，其特征在于包括：从下至上依次布置的吸杂层、作为支撑层的硅基底层、作为绝缘层的掩埋氧化物层、作为有源层的硅顶层、层间电介质和氧化物覆盖层；在硅顶层中形成有像素单元；像素单元中形成有光电二极管，而且传输管和源跟随管布置在光电二极管的一侧；而且在硅顶层中，传输管和源跟随管之间布置有第一接触区，源跟随管相对于第一接触区的一侧布置有第二接触区；其中，在所述硅顶层和层间电介质中形成有用于吸收杂质的附加吸杂结构，所述附加吸杂结构包围像素单元。

2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器结构，其特征在于，所述附加吸杂结构的材料是多晶硅。

3.根据权利要求1或2所述的CMOS图像传感器结构，其特征在于，所述附加吸杂结构是由与晶圆平面垂直的四个侧壁包围而成的结构，所述附加吸杂结构的与晶圆平面平行的截面是矩形。

4.根据权利要求1或2所述的CMOS图像传感器结构，其特征在于，所述附加吸杂结构的与晶圆平面平行的截面是圆形。

5.根据权利要求1或2所述的CMOS图像传感器结构，其特征在于，所述杂质是金属杂质。

6.一种绝缘体上硅晶圆上的CMOS图像传感器结构的形成方法，其特征在于包括：

第一步骤：在绝缘体上硅衬底顶层硅中形成器件单元和像素单元，在像素单元中形成光电二极管、传输管、复位管和源跟随管；而且在硅顶层中在传输管和源跟随管之间布置第一接触区，在源跟随管相对于第一接触区的一侧布置第二接触区；

第二步骤：在第一步骤形成的结构上形成层间电介质；

第三步骤：对层间电介质和硅顶层进行刻蚀以形成包围像素单元的沟槽，沟槽与掩埋氧化物层接触；

第四步骤：在沟槽中填充多晶硅，以形成用于吸收杂质的附加吸杂结构；

第五步骤：在第四步骤形成的结构上形成氧化物覆盖层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述附加吸杂结构是由与晶圆平面垂直的四个侧壁包围而成的结构，所述附加吸杂结构的与晶圆平面平行的截面是矩形。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述附加吸杂结构的与晶圆平面平行的截面是圆形。

9.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述杂质是金属杂质。